CARBOLITE GEROの乾燥炉

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チャンバー炉
チャンバー炉
HTF series

温度: 1,700, 1,600, 1,800 °C
容量: 64 l - 514 l
: 1,000 mm - 7,800 mm

... されます。脱脂工程で発生したガス状副生成物は、プロパンガスと圧縮空気によって駆動するアフターバーナーで燃焼されます。脱脂完了後には炉内温度が上昇され焼結が開始されます。 アプリケーション例 annealing, セラミック射出成形(CIM), 乾燥, 合成, 大気中での脱脂, 大気中の焼結, 昇華, 焼戻し, 焼結, 脱気, 脱脂 標準仕様 プログラム可能な8セグメント温調器 3216P1 過熱防止装置 二珪化モリブデン(MoSi2)高性能ヒーター素子 高品質なチャンバー内壁、エネルギー ...

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Carbolite Gero
管状炉
管状炉
FHA series

温度: 1,350 °C
: 400, 700, 950, 1,200, 1,450 mm
高さ: 420, 590 mm

... FHA(シングルゾーン)およびFHC(3ゾーン)の管状炉は、垂直または水平に使用でき、最高使用温度は1350 °Cです。 Fシリーズの管状炉には豊富な付属品が用意されています。この炉は、高品質の5 mm APMワイヤー発熱体を断熱材に取り付けたセラミックファイバーモジュールで構成されており、セラミック製の保持リッジで所定の位置に保持されています。熱質量の少ないセラミックファイバー断熱材により、低エネルギー消費を実現し、高速加熱が可能です。制御用熱電対には高品位のS型熱電対を採用しています。さらに、管状炉には最大8つの加熱ゾーンが用意されており、最も精密な温度制御と均一性を実現しています。 標準仕様 24セグメントのプログラマブル温度コントローラ。FHAはEPC3016P1を搭載、FHCはCC-T1を搭載 過熱防止装置 作業管の外径は、最大 ...

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チャンバー炉
チャンバー炉
HTRV series

温度: 1,600, 1,700, 1,800 °C
: 455, 580 mm
高さ: 365, 515, 765 mm

... 炉はスタンドなしで提供されるので、お客様は自分の装置に組み込むことができます。オプションの「L」スタンドを使用すれば、炉を自立させることができます。 アプリケーション例 annealing, pyrolyses, ラピッドプロトタイピング, 乾燥, 合成, 昇華, 炭化, 焼戻し, 焼結, 硬化, 結晶成長, 脱気, 脱脂, 金属射出成形(MIM) 標準仕様 プログラム可能な8セグメント温調器 EPC3016P1 過熱防止装置 修飾雰囲気では外径100mmまでの作業管を使用できます ...

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管状炉
管状炉
AZ series

温度: 1,350 °C
: 1,800 mm
高さ: 990, 1,200 mm

... AZは、温度プロファイルを制御するための8ゾーン管状炉です。これらのゾーンは、炉の加熱された長さに沿って温度プロファイルを生成するために使用できます。 8つのゾーン、厚い断熱材、そしてAZ炉全体で対称性の高い発熱体の巻き方により、±5℃以下の均一性を実現しています。個別に制御される8つのゾーンの主な利点は、炉内の均一な長さを延長できることです。さらに、温度プロファイルは、直線的な上昇、ピーク、またはその他のユーザー定義のプロファイルを正確に制御することができます。 AZ管状炉に適したプロセスの1つに、化学気相成長法があります。これは、高温側のエンドゾーンで前駆体材料を蒸発させ、低温側のエンドゾーンで基板上に蒸気を昇華させるために、炉内に温度勾配を設けることができるからです。すべてのゾーンは個別に制御され、熱電対でモニターされます。 標準仕様 FHA/FHC管状炉と同様の構造 ...

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管状炉
管状炉
FST series

温度: 1,300 °C
: 460, 680, 1,200, 1,700, 4,700 mm
高さ: 530, 590, 690, 2,200 mm

... 豊富に取り揃えています。 アプリケーション例 CIM, CVD, MIM, ageing, annealing, calcination, fuel cell testing, soldering, ろう付け, コーティング, ミニプラント, 乾燥, 合成, 昇華, 焼戻し, 焼結, 熱分解, 熱電対の校正, 硬化, 脱気, 触媒研究 ...

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チャンバー炉
チャンバー炉
HTRV-A series

温度: 1,700, 1,600 °C
: 700, 600, 800 mm
高さ: 700, 800, 1,050, 1,250 mm

... 非常に高い軽量の多層断熱材が使用されているため熱効率が良好です。 特別仕様、そして 多種多様のアクセサリー の対応もオプションとして可能です。 アプリケーション例 annealing, pyrolyses, ラピッドプロトタイピング, 乾燥, 合成, 昇華, 炭化, 焼戻し, 焼結, 硬化, 結晶成長, 脱気, 脱脂, 金属射出成形(MIM) 標準仕様 プログラム可能な8セグメント温調器 3216P1 過熱防止装置 高断熱性能なセラミックファイバー断熱材使用 対流冷却に最適 ...

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チャンバー炉
チャンバー炉
HTBL series

温度: 2,200, 1,600 °C
容量: 60 l
: 2,400 mm

... 構成されます。最高の均一性を実現するために、温度は独立して制御されます。 アプリケーション例 annealing, soldering, ろう付け, クエンチング, シリコン処理, セラミック射出成形(CIM), ラピッドプロトタイピング, 乾燥, 合成, 昇華, 炭化, 焼戻し, 焼結, 熱分解, 硬化, 脱気, 脱脂, 金属射出成形(MIM) 標準仕様 金属炉は、最高の純度(6N以上)で精密に定義された雰囲気を提供します。 ご要望に応じて、水素分圧操作 粉末を使用するのに適した ...

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チャンバー炉
チャンバー炉
HTBL series

温度: 2,200 °C
容量: 50, 80, 200 l
: 2,400 mm

... 構成されます。最高の均一性を実現するために、温度は独立して制御されます。 アプリケーション例 annealing, soldering, ろう付け, クエンチング, シリコン処理, セラミック射出成形(CIM), ラピッドプロトタイピング, 乾燥, 合成, 昇華, 炭化, 焼戻し, 焼結, 熱分解, 硬化, 脱気, 脱脂, 金属射出成形(MIM) 標準仕様 最高の温度を実現するグラファイト炉 ご要望に応じて、水素分圧操作 粉末を使用するのに適した排気速度制御型真空ポンプ Fully ...

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チャンバー炉
チャンバー炉
LHTM series

温度: 2,200, 1,600 °C
容量: 10, 1.5 l
: 1,900 mm

... 作業真空度は高真空領域に達します。ご要望に応じて、超高真空の構成も可能です。 アプリケーション例 annealing, soldering, ろう付け, クエンチング, シリコン処理, セラミック射出成形(CIM), ラピッドプロトタイピング, 乾燥, 合成, 昇華, 炭化, 焼戻し, 焼結, 熱分解, 硬化, 脱気, 脱脂, 金属射出成形(MIM) 標準仕様 研究室向け小型設計 高い真空品質 到達真空度 < 5 x 10-6 mbar Partial ...

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Carbolite Gero
チャンバー炉
チャンバー炉
LHTG series

温度: 2,200, 3,000 °C
容量: 1.5, 10 l
: 1,900 mm

... 3000℃であり、このような高温での測温はパイロメーターにより行われますが、低温は検出できないため高温になったときにスライドアウトする熱電対と組み合わせて使用されます。 アプリケーション例 ろう付け, シリコン処理, ラピッドプロトタイピング, 乾燥, 合成, 炭化, 焼戻し, 焼結, 熱分解, 脱気, 脱脂, 金属射出成形(MIM) 標準仕様 研究室向け小型設計 高い真空品質 到達真空度 < 5 x 10-6 mbar 分圧 10 - 1000 ...

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