走査型電子顕微鏡用標本準備システム

... EM研究で準超薄切片、あるいは超薄切片を作成する必要はありますか？ UC Enuityは、自動セットアップ機能により貴重な時間とリソースを節約し、最先端の切片作製品質を提供する次世代型ウルトラミクロトームです。 ...

... 試料の前処理や保管を行う際、試料表面に付着したハイドロカーボンを観察前にUV照射により除去し、観察時のコンタミネーション形成を低減するクリーナーです。少ないダメージで試料表面の汚損を除去することが可能なため、ダメージに敏感な試料へも適応可能です。 波長185 nmと254 nmのUV照射光によりチャンバー内残存酸素分子からオゾンおよび活性酸素（原子状酸素）を生成します。試料表面のハイドロカーボン分子と活性酸素が反応し、CO2、H2Oなどの揮発性分子となり、試料表面から剥離します。発生したオゾンと剥離した揮発性分子はオゾン除外装置を含むドライ真空排気系により、安全にチャンバー外に排出されます。 特長 コンタミネーション低減により本来の試料表面が観察可能 電子顕微鏡用の試料作成・保管中に、試料表面にハイドロカーボンが付着し、電子ビーム照射時にコンタミネーションが形成され、高分解能観察や分析の妨げになります。 ZONESEMⅡは、UV光を照射して試料表面に付着したハイドロカーボンを除去、電子顕微鏡での観察時に試料表面に形成されるコンタミネーションを低減することができます。 高スループットでフレキシブルなセットアップが可能 • ...

... 日立イオンミリング装置のスタンダードモデルであるIM4000IIは、断面ミリングと平面ミリング（フラットミリング®*1）に対応しています。冷却温度調整機能や雰囲気遮断ホルダユニットなど、各種オプションにより、さまざまな試料の断面試料作製が可能です。 *1 フラットミリングⓇは、日本国内における株式会社日立ハイテクの登録商標です。 中小企業等経営強化法に基づく支援措置の対象製品（生産性向上設備（A類型））です。 高ミリングレート IM4000IIは500 µm/h*1以上の断面ミリングレートを実現したイオンガンを搭載しています。 ...

... 日立イオンミリング装置の最上位機種。 ついにクラス最速の断面ミリングレート を達成しました。 高スループット断面ミリングによって、電子顕微鏡用の断面試料作製がさらに身近になりました 価格：お問い合わせください 取扱会社：株式会社 日立ハイテク *ArBlade®は、日本国内における株式会社日立ハイテクの登録商標です。 断面ミリングレート1 mm/h*1到達！ イオンビームのさらなる高電流密度化を図った新開発のPLUSIIイオンガンによりミリングレートが大幅に向上*2しました。 *1 マスクエッジからSiを100 ...

... 試料の前処理や保管を行う際、試料表面に付着したハイドロカーボンを観察前にUV照射により除去し、観察時のコンタミネーション形成を低減する日立TEM/STEMおよびインレンズSEM用のクリーナーです。 少ないダメージで試料表面の汚損を除去することが可能なため、ダメージに敏感な試料へも適応可能です。 波長185nmと254nmのUV照射光によりチャンバー内残存酸素分子からオゾンおよび活性酸素（原子状酸素）を生成します。試料表面のハイドロカーボン分子と活性酸素が反応し、CO2、H2Oなどの揮発性分子となり、試料表面から剥離します。発生したオゾンと剥離した揮発性分子はオゾン除外装置を含むドライ真空排気系により、安全にチャンバー外に排出されます。 コンタミネーション低減により本来の試料表面が観察可能 電子顕微鏡用の試料作成・保管中に、試料表面にハイドロカーボンが付着し、電子ビーム照射時にコンタミネーションが形成され、高分解能観察や分析の妨げになります。 ZONETEMⅡは、UV光を照射して試料表面に付着したハイドロカーボンを除去、電子顕微鏡での観察時に試料表面に形成されるコンタミネーションを低減することができます。 高スループットでフレキシブルなセットアップが可能 日立ハイテク製の各サイドエントリ試料ホルダに試料を装着したまま、サンプルを表裏同時に処理可能。 同時に複数サンプルを処理可能 LCDタッチパネルによる操作 簡便なサンプル装着/取り出し レシピ機能（10個）を標準搭載 省スペース卓上形 本体寸法：334 ...