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Fotodiodo InGaAs XSJ-10-APD5-40
de avalanchePINsem encapsulamento

fotodiodo InGaAs
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Características

Especificações
InGaAs, de avalanche
Montagem
PIN, sem encapsulamento

Descrição

Descrição Este chip de fotodiodo de avalanche de 10Gbps (chip APD) é uma espécie de estrutura de eléctrodo Ground-Signal-Ground (GSG), com uma área activa iluminada no topo é Φ40μm. As características deste produto são alta multiplicação, baixa capacitância, alta largura de banda, baixo coeficiente de temperatura e excelente fiabilidade, aplicação em receptor óptico 10G SONET/SDH e 10G PON. Características Φ40μm área activa. Elevada multiplicação. Elevada taxa de dados. Baixo coeficiente de temperatura. Excelente fiabilidade: Todos os chips passaram os requisitos de qualificação especificados pela Telcordia -GR-468-CORE. 100% de testes e inspecção. Aplicações 10G SONET/SDH 10G PON

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