- Eletricidade - Eletrônica
- Componente Eletrônico
- Chip potência
- PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
Chip de fotodíodo XSJ-10-SPD-51potênciaInPInGaAs
Guardar nos favoritos
Comparar
Características
- Especificações
- de fotodíodo, potência, InP, InGaAs
Descrição
Este chip de fotodíodo de alta sensibilidade (chip super PD) tem uma estrutura planar InGaAs/InP. As suas caraterísticas são a elevada capacidade de resposta, a baixa capacitância e a baixa corrente de escuridão, aplicação no recetor GPON OUN de 2,5 Gbps. O chip PIN PD de 2,5 Gbps de alta sensibilidade que funciona com super TIA pode substituir o APD+TIA de 2,5 Gbps, reduzindo o custo e o consumo de energia da ONU.
1. Φ51μm área ativa.
2. Alta responsabilidade e baixa corrente escura.
3. Estrutura planar.
4. Corrente escura baixa.
5. Alta sensibilidade, funciona com super TIA pode substituir 2.5Gbps APD-TIA.
6. Taxa de dados até 2,5 Gbps.
7. Excelente fiabilidade: Todos os chips passaram os requisitos de qualificação especificados pela Telcordia -GR-468-CORE.
8. 100% de testes e inspeção.
Aplicações
1. recetor GPON ONU de 2,5 Gbps.
---
Catálogos
Não estão disponíveis catálogos para este produto.
Ver todos os catálogos da PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.Outros produtos PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
Access Network Applications
* Os preços não incluem impostos, transporte, taxas alfandegárias, nem custos adicionais associados às opções de instalação e de ativação do serviço. Os preços são meramente indicativos e podem variar em função dos países, do custo das matérias-primas e das taxas de câmbio.