1. Metrologia - Laboratório
  2. Componente Óptico
  3. Fotodiodo InGaAs
  4. PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.

Fotodiodo InGaAs XSJ-10-SPD-51
PIN

fotodiodo InGaAs
fotodiodo InGaAs
Guardar nos favoritos
Comparar
 

Características

Especificações
InGaAs
Montagem
PIN

Descrição

Descrição Este chip de fotodíodo de alta sensibilidade (chip super PD) é uma estrutura planar InGaAs/InP. As características são alta reactividade, baixa capacitância e baixa corrente escura, aplicação em receptor GPON OUN de 2,5Gbps. O chip PIN PD de 2,5Gbps de alta sensibilidade trabalhando com super TIA pode substituir o APD+TIA de 2,5Gbps, pode reduzir o custo da ONU e o consumo de energia. Características Φ51μm área activa. Alta responsabilidade e baixa corrente escura. Estrutura planar. Corrente escura baixa. Alta sensibilidade, funciona com super TIA pode substituir 2,5Gbps APD-TIA. Taxa de dados até 2,5Gbps. Excelente fiabilidade: Todos os chips passaram os requisitos de qualificação conforme especificado pela Telcordia -GR-468-CORE. 100% de testes e inspecção. Aplicações 2.receptor GPON ONU de 5Gbps.

---

Catálogos

Não estão disponíveis catálogos para este produto.

Ver todos os catálogos da PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.
* Os preços não incluem impostos, transporte, taxas alfandegárias, nem custos adicionais associados às opções de instalação e de ativação do serviço. Os preços são meramente indicativos e podem variar em função dos países, do custo das matérias-primas e das taxas de câmbio.