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- Fotodiodo InGaAs
- PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
Fotodiodo InGaAs XSJ-10-D4-60PIN
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Características
- Especificações
- InGaAs
- Montagem
- PIN
Descrição
Descrição
Este chip de fotodíodo de 3.1Gbps é estrutura planar InGaAs/InP PIN e chip de fotodíodo digital iluminado de topo, o tamanho da área activa é Φ60μm. Estas características são baixa corrente escura, baixa capacitância, alta capacidade de resposta e excelente fiabilidade. Aplicação em 3,1Gbps e abaixo do receptor óptico e EPON ONU.
Características
Φ60μm área activa.
Alta responsabilidade.
Baixa corrente escura.
Largura de banda elevada.
Excelente fiabilidade: Todos os chips passaram os requisitos de qualificação conforme especificado pela Telcordia -GR-468-CORE.
100% de testes e inspecção.
Aplicações
≤3.1Gbps receptor digital.
EPON ONU.
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