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- Componente Óptico
- Fotodiodo InGaAs
- PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
Fotodiodo InGaAs XSJ-10-APD4-55-01de avalanchePIN
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Características
- Especificações
- InGaAs, de avalanche
- Montagem
- PIN
Descrição
Descrição
O chip de fotodíodo Avalanche (chip APD) é uma espécie de dispositivo activo que proporciona um ganho incorporado e amplifica a foto-corrente. As características deste produto são ânodo no topo e cátodo no verso, com o tamanho da área activa iluminada no topo é Φ55μm para fácil montagem óptica; alta capacidade de resposta, elevado factor de multiplicação e baixa corrente escura. O chip APD de alto desempenho de 2,5Gbps e TIA combinado TO-CAN pode melhorar a sensibilidade do receptor óptico, aplicações que permitem a transmissão de dados para a actual FTTH (Fibra para a Casa).
Características
Φ55μm área activa.
Ânodo no topo e cátodo no verso.
Corrente escura baixa.
Excelente capacidade de resposta e elevado ganho.
Taxa de dados até 2,5Gbps acima.
Excelente fiabilidade: Todos os chips passaram os requisitos de qualificação conforme especificado pela Telcordia -GR-468-CORE.
100% de testes e inspecção.
Aplicações
2.receptor GPON/EPON ONU de 5Gbps.
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