- Metrologia - Laboratório
- Componente Óptico
- Fotodiodo InGaAs
- PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
Fotodiodo InGaAs XSJ-10-APD5-40S-Xde avalanchePIN
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Características
- Especificações
- InGaAs, de avalanche
- Montagem
- PIN
Descrição
Descrição
O chip detetor ótico APD de 10Gbps é uma estrutura de elétrodo GSG, para a frente na luz do chip detetor de luz de avalanche de alta velocidade, o tamanho da área fotossensível é 40um, as principais características do produto são multiplicador alto, baixa capacitância, largura de banda alta, coeficiente de baixa temperatura e alta confiabilidade, usado principalmente no recetor ótico 10G SONET / SDH e 10G PON.
Características
1. Φ40μm de área ativa.
2. Elevada multiplicação.
3. Baixo coeficiente de temperatura.
4. teste e inspeção a 100%.
5. Excelente fiabilidade: Todos os chips passaram os requisitos de qualificação especificados pela Telcordia -GR-468-CORE.
6. Conformidade com RoHS2.0 (2011/65/EU).
Aplicações
1. 10G EPON.
2. XGS Comb PON.
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