MOSFET para a indústria automóvel SCT4018KTWHR

resistência alta tensãode alta velocidadeSiC

Visão geral Este produto é um MOSFET de SiC no pacote TSC3PAK. Ao adotar uma estrutura de dissipação de calor pela parte superior, que coloca a superfície de dissipação de calor na parte superior do pacote, o produto permite a montagem automatizada, ao mesmo tempo que alcança um desempenho de dissipação de calor comparável ao dos pacotes convencionais de montagem por orifícios. A estrutura de ranhuras exclusiva da ROHM garante uma distância de fuga de 6,66 mm, permitindo suportar uma tensão de pico CA de 1200 V em ambientes com Grau de Poluição 2. O dispositivo apresenta baixa resistência em estado ligado e características de comutação de alta velocidade, reduzindo as perdas de comutação e melhorando a eficiência e a fiabilidade em circuitos de conversão de potência para carregadores de bordo (OBCs), compressores elétricos para veículos elétricos (xEVs), inversores fotovoltaicos e fontes de alimentação de servidores. Características principais

• Certificado segundo a norma AEC-Q101 (nível automóvel)
• Embalagem: TSC3PAK com dissipação de calor pela parte superior
• Ampla distância de fuga: mín. 6,66 mm
• Baixa resistência no estado ligado (RDS(on) típica: 18 mΩ)
• Velocidade de comutação rápida e recuperação inversa rápida
• Fácil de colocar em paralelo
• Simples de controlar
• Revestimento dos terminais sem chumbo; Em conformidade com a RoHS

Aplicações Carregadores de bordo (OBCs) e compressores elétricos em veículos elétricos (xEVs); inversores fotovoltaicos; fontes de alimentação de servidores de alto desempenho e outros equipamentos de conversão de energia de alta tensão. Informações sobre a peça Número da peça | SCT4018KTWHRTCR Estado | Recomendado Embalagem | TSC3PAK Tipo de embalagem | Em fita Quantidade por unidade | 600 Quantidade mínima por embalagem | 600 RoHS | Sim MSL | 1 Especificações (selecionadas) Tensão dreno-fonte [V] : 1200 Resistência dreno-fonte no estado ligado (típica) [mΩ] : 18 Geração : 4.ª geração (Trench) Corrente de dreno [A]: 79 Dissipação de potência total [W]: 294 Temperatura de junção (máx.) [°C]: 175 Temperatura de armazenamento (mín.) [°C]: -40 Temperatura de armazenamento (máx.) [°C] : 175 Dimensões do invólucro [mm] : 14,0 x 18,58 (t=3,625) Norma comum: AEC-Q101 (grau automóvel) Características (detalhadas)

• Estrutura de dissipação de calor na face superior do invólucro de montagem superficial, que permite uma dissipação de calor comparável à dos invólucros de montagem por orifícios (por exemplo, equivalentes ao TO-247)
• Ranhura proprietária na embalagem que permite uma grande distância de fuga para um projeto de isolamento de alta tensão
• Tecnologia MOSFET SiC de 4.ª geração da ROHM: baixa resistência em estado ligado e perdas de comutação reduzidas
• Concebido para montagem automatizada, mantendo um elevado desempenho térmico

características / especificações técnicas

• Número de peça (página do produto): SCT4018KTWHRTCR (também referido como SCT4018KTWHR)
• Tipo de dispositivo: MOSFET de carboneto de silício (SiC)
• Embalagem: TSC3PAK (montagem em superfície, dissipação de calor pela parte superior)
• VDSS (tensão dreno-fonte): 1200 V
• RDS(on) (típico): 18 mΩ
• Corrente nominal de dreno: 79 A
• Dissipação de potência total: 294 W
• Temperatura máxima de junção: 175 °C
• Temperatura de armazenamento: -40 °C a 175 °C
• Dimensões do pacote: 14,0 x 18,58 mm (espessura 3,625 mm)
• Distância de fuga: mín. 6,66 mm (suporta pico de CA de 1200 V no Grau de Poluição 2)
• Geração / estrutura: 4.ª geração (Trench)
• Conformidade / qualidade: AEC-Q101 (grau automóvel), em conformidade com a RoHS
• Embalagem: em fita; quantidade por bobina: 600; quantidade mínima por embalagem: 600