Transistor MOSFET SCT2H12NZ
de potênciade comutaçãoem silício

Transistor MOSFET - SCT2H12NZ - ROHM Semiconductor - de potência / de comutação / em silício
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Características

Tipo
MOSFET
Tipo
de potência, de comutação
Outras características
em silício
Corrente

3,7 A

Tensão

1.700 V

Descrição

MOSFET de potência de SiC (carboneto de silício) de canal N. Baixa resistência de ativação Velocidade de comutação rápida Longa distância de fuga Simples de acionar Revestimento de chumbo sem Pb; compatível com RoHS

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ELECTRONICA 2026
ELECTRONICA 2026

10-13 nov 2026 Munich (Alemanha) Hall C3 - Stand 520

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