Transistor MOSFET SCT4013DR

de potênciade comutaçãoem silício

O SCT4013DR é um SiC MOSFET que contribui para a miniaturização e baixo consumo de energia das aplicações. Este é um produto de 4ª geração que atinge a liderança da indústria com baixa resistência sem sacrificar o curto-circuito e o tempo de resistência. Este é um tipo de pacote de 4 pinos com um terminal de fonte de condutor que pode maximizar o desempenho de comutação de alta velocidade que é uma característica dos SiC MOSFETs. Vantagens da 4ª Geração do ROHM SiC MOSFET Esta série tem cerca de 40% de redução na resistência e cerca de 50% de redução na perda de comutação em comparação com os produtos convencionais. A tensão da porta de 15V facilita a concepção da aplicação. Baixa resistência Velocidade de comutação rápida Rápida recuperação inversa Fácil de paralelizar Simples de conduzir Revestimento com chumbo sem Pb; compatível com RoHS