SCT4013DE é um SiC MOSFET que contribui para a miniaturização e baixo consumo de energia das aplicações. Este é um produto de 4ª geração que atinge a liderança da indústria com baixa resistência sem sacrificar o curto-circuito e o tempo de resistência.
Vantagens da 4ª Geração do ROHM SiC MOSFET
Esta série tem cerca de 40% de redução na resistência e cerca de 50% de redução na perda de comutação em comparação com os produtos convencionais. A tensão da porta de 15V facilita a concepção da aplicação.
Baixa resistência
Velocidade de comutação rápida
Rápida recuperação inversa
Fácil de conduzir em paralelo Simples de conduzir
Revestimento com chumbo sem Pb; compatível com RoHS
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