Díodo de junção PN CRF02

SMDde retificaçãode alta densidade

- Corrente direta média: IF (AV) = 0,5 A - Pico de tensão de avanço: VFM = 3 V (máx.) - Tempo de recuperação inversa muito rápido: trr = 100 ns (máx.) - Encapsulamento pequeno e fino adequado para montagem em placas de alta densidade Apelido Toshiba: "S-FLATTM A utilização contínua sob cargas pesadas (por exemplo, a aplicação de alta temperatura/corrente/tensão e a mudança significativa de temperatura, etc.) pode fazer com que a fiabilidade deste produto diminua significativamente, mesmo que as condições de funcionamento (ou seja, temperatura de funcionamento/corrente/tensão, etc.) estejam dentro dos valores máximos absolutos. Determine a fiabilidade adequada após analisar o Manual de Fiabilidade dos Semicondutores da Toshiba ("Precauções de manuseamento"/Conceito e métodos relacionados) e os dados de fiabilidade individuais (ou seja, relatório de teste de fiabilidade e taxa de falha estimada, etc.)