Fotodiodos PIN HAMAMATSU

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fotodiodo PIN
fotodiodo PIN
S12109-32

... fotossensor de alta velocidade foi desenvolvido para a comunicação por fibra óptica na banda de 0,85 µm. Este fotodíodo tipo receptáculo Si PIN é compatível com fibra óptica multimodo GI-50. Características - ...

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fotodiodo InGaAs
fotodiodo InGaAs
G1-32 series

... Organizámos o fotodíodo e a lente nas posições ideais para que este receptáculo do tipo InGaAs PIN photodiode tenha reduzido significativamente os reflexos múltiplos no interior do módulo. É utilizado ...

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fotodiodo PIN
fotodiodo PIN
S13993

... Fotodiodo PIN Si PIN de grande área para detecção direta de radiação O S13993 é um fotodiodo SIP de grande área não selado para detecção direta de radiação. Como a área ...

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fotodiodo PIN
fotodiodo PIN
S14536 series

... Detectores Si para partículas de alta energia A série S14536 é um fotodiodo de grande área especificamente concebido para a detecção directa de partículas de alta energia carregadas e raios X. Estes detectores são montados ...

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fotodiodo de silício
fotodiodo de silício
S14537 series

... Detectores Si para partículas de alta energia A série S14537 são fotodiodos de grande área especificamente concebidos para a detecção directa de partículas carregadas de alta energia e raios X. Estes detectores são montados ...

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fotodiodo de silício
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S14605

... Fotodiodo PIN Si PIN de grande área para detecção direta de radiação O S14605 é um fotodiodo de grande área Si PIN não selado para detecção direta de ...

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fotodiodo de infravermelho
fotodiodo de infravermelho
S15137

... Fotodiodo Si para fotometria visível a infravermelho O S15137 é um fotodiodo Si PIN desenvolvido para lasers YAG (1,06 µm). A fotossensibilidade a 1,06 µm é de 0,52 A/W (digite.), que ...

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fotodiodo InGaAs
fotodiodo InGaAs
G15553 series

... - Área activa G15553-003C: φ0.3 mm - Embalagem miniatura: 2 × 2 × 1 mm - Tolerância precisa da posição do chip: ±0,075 mm O chip deste produto não é selado e é exposto. Partes tais como eléctrodos no chip não são protegidas por um invólucro ...

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fotodiodo InGaAs
fotodiodo InGaAs
G12183-210KA-03

... Tipo de comprimento de onda longo (comprimento de onda cortado: 2,55 μm) Características - Comprimento de onda de corte: 2,55 μm - Refrigerado em TE em duas fases - Baixo custo - Área fotossensível: φ1 mm - Baixo ruído - Alta sensibilidade - ...

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