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Corrente: 24 A
Tensão: 1.700 V
... O dispositivo utiliza um colector difuso em tecnologia planar que adopta uma "estrutura de alta tensão melhorada" (EHVS1) desenvolvida para se adaptar a ecrãs CRT de alta definição. A nova série de produtos HD apresenta uma eficiência de silício melhorada, ...
STMicroelectronics
Corrente: 8 A
Tensão: 600 V
... Este IGBT utiliza o avançado processo PowerMESH™, resultando num excelente compromisso entre o desempenho de comutação e o baixo comportamento no estado. Todas as características Menor queda de tensão no estado ligado (VCE(sat)) Díodo ...
STMicroelectronics
Corrente: 8 A
Tensão: 600 V
... Este IGBT utiliza o avançado processo PowerMESH™, resultando num excelente compromisso entre o desempenho de comutação e o baixo comportamento no estado. Todas as características Menor queda de tensão no estado ligado (VCE(sat)) Díodo ...
STMicroelectronics
Corrente: 8 A
Tensão: 600 V
... Este IGBT utiliza o avançado processo PowerMESH™, resultando num excelente compromisso entre o desempenho de comutação e o baixo comportamento no estado. Todas as características Menor queda de tensão no estado ligado (VCE(sat)) Díodo ...
STMicroelectronics
Corrente: 8 A
Tensão: 600 V
... Este IGBT utiliza o avançado processo PowerMESH™, resultando num excelente compromisso entre o desempenho de comutação e o baixo comportamento no estado. Todas as características Menor queda de tensão no estado ligado (VCE(sat)) Díodo ...
STMicroelectronics
Corrente: 30 A
Tensão: 600 V
... Este IGBT utiliza o avançado processo PowerMESH, resultando num excelente compromisso entre o desempenho de comutação e o baixo comportamento no estado activo. Todas as características Baixa queda de tensão no estado activo (VCE(sat)) Tempo ...
STMicroelectronics
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