Transistor IGBT STGP8NC60KD
de comutação

Transistor IGBT - STGP8NC60KD - STMicroelectronics - de comutação
Transistor IGBT - STGP8NC60KD - STMicroelectronics - de comutação
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Características

Tipo
IGBT
Tipo
de comutação
Corrente

8 A

Tensão

600 V

Descrição

Este IGBT utiliza o avançado processo PowerMESH™, resultando num excelente compromisso entre o desempenho de comutação e o baixo comportamento no estado. Todas as características Menor queda de tensão no estado ligado (VCE(sat)) Díodo antiparalelo de recuperação ultra-rápida muito suave Baixo rácio CRES / CIES (sem susceptibilidade de condução cruzada) Tempo de resistência a curto-circuito 10µs

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SPS 2026
SPS 2026

24-26 nov 2026 Nuremberg (Alemanha) Hall 4 - Stand 271

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