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Transistor IGBT STGW30NC60KDde comutação
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Características
- Tipo
- IGBT
- Tipo
- de comutação
- Corrente
30 A
- Tensão
600 V
Descrição
Este IGBT utiliza o avançado processo PowerMESH, resultando num excelente compromisso entre o desempenho de comutação e o baixo comportamento no estado activo.
Todas as características
Baixa queda de tensão no estado activo (VCE(sat))
Tempo de resistência a curto-circuitos 10 μs
Baixo rácio Cres / Cies (sem susceptibilidade de condução cruzada)
IGBT co-embalado com díodo de roda livre ultra-rápido
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Catálogos
STGW30NC60KD
14 Páginas
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Power Transistors
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* Os preços não incluem impostos, transporte, taxas alfandegárias, nem custos adicionais associados às opções de instalação e de ativação do serviço. Os preços são meramente indicativos e podem variar em função dos países, do custo das matérias-primas e das taxas de câmbio.