MEMSひずみゲージ SE206
ピエゾ抵抗型ダイアフラムダブルグリッドリニア

MEMSひずみゲージ
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特徴

技術
ダイアフラム, ピエゾ抵抗型, MEMS
幾何学
ダブルグリッドリニア, 表面用
その他の特徴
ハーフブリッジ型
抵抗性

4 kOhm

ゲージ率(k)

150 unit

詳細

モデルSE206は、ハーフブリッジ型のピエゾ抵抗センサダイで、ゲージ率が150と高く、数マイクロストレインまでの低レベルのひずみ測定用に特別に設計されています。その典型的な用途は、ステンレスやセラミックで作られた丸い形状の圧力ダイアフラム上に、2個のSE206を接着して、ホイートストンブリッジ回路を形成し、圧力を測定することである。また、このセンサーダイの典型的な接着方法は、ガラスボンディングプロセスである。 SE206センサダイは、BCM SENSOR社の金属箔ひずみゲージのGB(BL)パターンと同様に、2つのピエゾ抵抗器が互いに並んで配置されている。そのため,このセンサダイは,例えば,逆曲げ梁に貼り付けて圧縮力や引張力を測定するなど,力の測定にも使用することができる。 SE206は、MEMSプロセスにより製造されているため、小型(1.5mm x 0.5mm)でありながら、量産時には1バッチでの大量生産が可能となっています。 SE206のセンサーダイは、梱包前に個別にテストされ、仕様に適合していることが確認されています。 パッケージは、お客様のご要望に応じて3種類をご用意しております。これら3種類のパッケージの詳細については、注文情報を参照してください。

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Sensor+Test 2024
Sensor+Test 2024

11-13 6月 2024 Nürnberg (ドイツ)

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