アバランシェフォトダイオード C30683

InGaAs

概要
C30683シリーズは、アvalanche photodiode（APD）と高速トランスインピーダンスアンプ（TIA）を密封TO-8パッケージ内に統合し、極めて低照度での検出を可能にします。シリコンおよびInGaAsのAPDに対応し、最大450 MHzのシステム帯域幅、低NEP、差動出力を備えた高精度な光センシングおよび測距用途に適しています。

主な製品ポイント

• APD温度の監視と高圧バイアスの補償を行う内蔵サーミスタにより、安定したゲインを維持。
• APDオプション：シリコン（C30737、500 µm）およびInGaAs（C30645、80 µm；C30662、200 µm）。
• 代表型番：C30683-900-R5DH、C30683-1550-R08DH、C30683-1550-R2BH。

特長

• 密封TO-8パッケージ内にAPDと第1増幅段を統合
• シリコンまたはInGaAs検出器の選択が可能
• モデルにより最大450 MHzのシステム帯域幅
• 50 Ω AC負荷対応（AC結合）
• アンプ動作電圧：+3.3 V
• ノイズ除去に有利な差動出力

用途

• LiDARおよび測距
• 自由空間光通信
• 極低照度検出および分析機器
• 分散温度センシング（DTS）
• 共焦点顕微鏡および光学試験装置

仕様

• シリーズ：C30683
• パッケージ：APDおよび第1増幅段を統合した密封TO-8
• APDオプションと代表サイズ：シリコン（C30737、500 µm）；InGaAs（C30645、80 µm；C30662、200 µm）
• 感度（Responsivity）：モデルにより最大550 kV/W（900 nm）または120 kV/W（1550 nm）
• NEP：モデルにより最小37 fW/√Hz
• システム帯域幅：モデルにより最大450 MHz
• 負荷能力：50 Ω AC（AC結合）
• アンプ電源：+3.3 V
• 出力：差動
• 温度監視：APD温度補償用の内蔵サーミスタ