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半導体産業チェーンの上流に位置する原料生産企業に対し、独自に開発した分光共焦点測定装置を用いて、半導体原料やエピタキシャルウエハーのサイズや平坦度を検出する。 製品の長所です。 広い応用範囲 各種材料、研磨条件の4~8インチのオリジナルウエハ、基板、エピタキシャルウエハに使用します。 高い測定精度 厚み範囲0~1mm 測定精度:±1μM 繰返し精度:0.2μm 短い測定時間 測定時間30s / PCS(お客様の検出軌跡に準ずる。)
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*価格には税、配送費、関税また設置・作動のオプションに関する全ての追加費用は含まれておりません。表示価格は、国、原材料のレート、為替相場により変動することがあります。
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