高出力抵抗器 M35

金属膜低インダクタンスラジアルリード

パワー抵抗器M35 - 金属皮膜 35 ワット電力抵抗器 @25 °C、TO-263 ハウジング、最大動作電圧 500V 35ワットまでのハイパワー(ヒートシンク上) 抵抗値範囲 0,01Ω...51kΩ 1%からの抵抗の許容範囲 温度係数は±50ppm/℃から TO-263ハウジング（D-PAK 低インダクタンス（<10nH 260℃/20秒でのリフロー工程での耐半田性 TO-263 ハウジングの薄膜電力抵抗器 M35 は、適切な寸法のヒートシンク（納入品には含まれていません）を使用して 25°C で最大 35 ワット、ヒートシンクなしで 2 ワットの性能を実現しています。低インダクタンス(<10nH)、抵抗値範囲0,01Ω...51kΩ、抵抗値許容差±1%、熱抵抗値3.3K/Wを実現しています。260℃/20秒のリフロープロセスでの耐半田性を有しています。M35は、太陽光発電や充電制御装置など、様々な電力アプリケーションに使用されています。