MOCVD貯蔵マシン Propel™ Power

薄膜

高効率のGaNベースのパワー デバイスを実現する単一ウエハ リアクターテクノロジー VeecoのPropel Power GaN MOCVDシステムは、パワー エレクトロニクス産業用に特別に設計されています。単一ウエハ リアクター プラットフォームが特長で6インチと8インチのウエハの処理能力があるこのシステムでは、高効率のパワー エレクトロニクス デバイスの製造用に高品質のGaN膜を蒸着できます。単一ウエハ リアクターは、ウエハ全体で均一層状の流量と一様な温度プロファイルを実現する新しいIsoFlangeとSymmHeatテクノロジーを含む、画期的なテクノロジーを採用したVeecoの最先端のTurboDisc®設計に基づいています。お客様はVeeco K465iシステムとMaxBrightシステムからPropel Power GaN MOCVDプラットフォームに、プロセスを容易に移行できます。 優れた膜厚均一性、歩留まり、およびデバイス性能 より長いキャンペーン時間とパーティクル欠陥の少なさが特長で、優れた歩留まりと柔軟性を実現 迅速な学習サイクルにより、GaN-on-Si研究開発の量産への移行を加速 構成、操作、メンテナンスが容易でアップグレードが可能なモジュール設計 VeecoのPropelテクノロジーが化合物半導体マガジン誌の記事で特集されました。GaN HEMTsのMastering MOCVDの記事は、こちらをクリックしてください 200mm（8インチ）シリコン基板のVeeco® Propel® TurboDisc® MOCVDツールでGaN HEMT構造を成長させる方法に関する基本プロセス情報にアクセスしてください。この情報は、あらゆる種類の商業システムや商業用途での使用に対して、設計、意図、推奨、または認定を行うものではありません。