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... 広帯域プラズマ 欠陥 検査装置は、5nm以下のロジックおよび最先端メモリ設計ノード向けに、ウェーハレベルの 欠陥発見、歩留まり学習、インラインモニタリングをサポートします。超高分解能深紫外（SR-DUV）波長帯域を生成する光源、低ノイズ・センサ、高度なアルゴリズムにより、3935および3920 EPはユニークな 欠陥タイプを高感度で捕捉します。3935には、 検査レシピのセットアップをスケーラブルに拡張するSetup ...
KLA Corporation
... と量産向けの、パターン／表面
欠陥の検出・分類・モニタリングを目的とした総合的なウェーハ
欠陥
検査・レビューシステム。SR‑DUVを含む広帯域光学照明、レーザースキャン、電子線（e‑beam）レビューを高度なセンサとAIアルゴリズムで組み合わせ、フロント面・バック面・エッジの
欠陥を複数ウェーハ寸法・基板材料で検出します。
製品シリーズと概要
- 39xx
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... けのチップ製造において、系統的な 欠陥発見と潜在的な信頼性 欠陥検出を可能にする広帯域プラズマ 欠陥 検査装置です。C30x 検査装置は、調整可能な広帯域照明光源、高度な光学系、低ノイズセンサーを活用し、さまざまなプロセス層とデバイスタイプにわたって重要な 欠陥を捕捉します。NanoPoint™テクノロジーは、信頼性不良のリスクが高いパターン領域を重点的に 検査し、ダイのアンダーキルやオーバーキルの低減に役立つ実用的な 欠陥データを提供します。C30x 検査装置は、システマティックな 欠陥の発見を通じて、研究開発における ...
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... Puma™ 9980 レーザースキャニング 検査システムは、1Xnmの先端ロジック、先端DRAM、3D NANDメモリデバイスの大量生産に必要なスループットで、重要な 欠陥（DOI）の捕捉を可能にする複数の感度と速度の強化を組み込んでいます。Puma 9980は、先進的なウェハ 欠陥 検査・レビューツールのポートフォリオの一部であり、先進的なパターニング層上の 欠陥タイプの捕捉を強化することにより、生産ランプモニタリングのための最高スループットのソリューションを提供します。Puma ...
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... クラスター・ツールは4つのモジュールで構成され、ウェーハの全表面をカバーし、効率的なプロセス制御のために高いスループットで並列データ収集を行います。最新世代のCIRCL5システムを構成するモジュールには、前面ウェーハ 欠陥 検査、ウェーハエッジ 欠陥 検査、プロファイル、計測、レビュー、裏面ウェーハ 欠陥 検査とレビュー、前面 欠陥の光学的レビューと分類が含まれます。データ収集はDirectedSampling™によって制御されます。DirectedSampling™は、1つの測定結果を使用してクラスタ内の他のタイプの測定をトリガー ...
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... Surfscan® SP7XPは、最先端のロジックおよびメモリデバイスの性能と信頼性に影響する 欠陥や表面品質の問題を特定する装置です。このシステムは、EUVリソグラフィに使用されるものを含むツール、プロセス、材料の認定と監視を行うことで、IC、OEM、材料、基板の製造をサポートします。DUVレーザーと最適化された 検査モードにより、Surfscan SP7XPは、先端ノードの研究開発向けの究極の感度と、大量生産をサポートするスループットを実現します。位相差チャンネル（PCC）と通常照明（NI）を含む ...
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... e-Beamウェハ 欠陥レビューと分類システム eDR7380™電子ビームウェーハ 欠陥レビューおよび分類システムは、ワイドバンドギャップ半導体のウェーハおよびチップ製造をサポートします。 欠陥の高解像度画像を提供し、機械学習による自動 欠陥分類で正確な 欠陥パレートを作成します。eDR7380によって生成されたデータにより、開発段階での 欠陥ソーシングの高速化、エクスカージョン検出の高速化、製造段階でのより正確で実用的なデータが可能になります。eDR7380が生成する 欠陥情報は、複数の基板タイプ（SiC、 ...
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... Archer™ 800オーバーレイ計測システムは、最先端のメモリおよびロジック・デバイスの迅速な技術立ち上げと安定生産を実現するために、製品上のオーバーレイ・エラーを正確にフィードバックします。波長可変性とナノメートルレベルの分解能による層ごとの最適化により、EUVリソグラフィを含む革新的なパターニング技術に関連するオーバーレイの問題を正確かつ堅牢に特性評価できます。Archer 800イメージング・ベースのオーバーレイ・システムは、進化する市場ニーズに対応する生産性レベルを備え、高次スキャナ補正のためのサンプリング増加やインライン・モニタリングのための高スループットをサポートします。高度なアルゴリズムと斬新なrAIM®オーバーレイ・ターゲット設計により、ターゲットとデバイスのオーバーレイ・エラーの相関性が向上し、リソグラファがデバイスのオーバーレイ性能を正確に追跡できるようになります。 アプリケーション 製品上オーバーレイコントロール、インラインモニタリング、スキャナクオリフィケーション、パターニングコントロール、明視野クリティカルディメンション(CD) 調整可能な光源を備えたイメージングベースのオーバーレイ計測システムにより、≤7nmロジックおよび先端メモリ設計ノードの高精度、高プロセスロバスト、高生産性オーバーレイエラー計測が可能。 先端メモリおよび≤10nmロジック・デバイス用のイメージング・ベース・オーバーレイ・メトロロジー・システム。 2Xnm/1Xnmデザイン・ノードのさまざまなプロセス層に対応する、デュアル・イメージングおよびスキャッタロメトリーベースのオーバーレイ測定モジュール。 ...
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... Candela® 8420表面 欠陥 検査システムは、マルチチャンネル検出とルールベースの 欠陥ビニングにより、ガリウムヒ素（GaAs）、リン化インジウム（InP）、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ガラス、サファイア、その他の化合物半導体材料などの不透明、半透明、透明ウェハ上のパーティクルやスクラッチの検出を行います。この表面 欠陥 検査システムは、独自のOSA（光学表面分析装置）アーキテクチャを採用し、散乱強度、地形変化、表面反射率、位相シフトを同時に測定することで、広範な関心 欠陥（DOI）を自動検出・分類 ...
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... およびGaN基板上の基板およびエピタキシャル 欠陥の高度な特性評価用に設計された、第2世代のフォトルミネッセンス（PL）と表面 検査を統合したシステムです。地形変化、表面反射率、位相シフト、フォトルミネッセンスをとらえ、広範な注目 欠陥（DOI）を自動検出・分類します。このシステムは、2つの入射角における散乱強度を同時に測定する独自の光学技術を採用しています。キャンデラ8520は、GaNウェハの表面およびフォトルミネッセンス 欠陥 検査を行い、GaNリアクターの 欠陥制御のためにGaNの転位、ピット、ホールを検出 ...
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