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電流: -16.4 A
電圧: -60 V
... スイッチングが可能で、アバ ランシェ耐量も高いため、高品質が要求されるアプリケーションに適しています。ノーマルレベルとロジックレベルがあり、広いRDS(on)範囲を特徴とし、低Qgにより低負荷時の効率を向上させます。 特徴の概要 広いRDS(on)範囲 ノーマルレベルとロジックレベルが使用可能 利点 MCUへの容易なインターフェース 低Qgによる低負荷時の効率向上 高速スイッチング アバ ランシェ耐衝撃性 潜在的アプリケーション バッテリー 民生用 産業オートメーション 産業用 ドライブ ...
Infineon Technologies AG
電流: 40 A
電圧: 40 V
... 、熱設計が容易になり、並列化が少なくなるため、 システム・コストの削減につながります。 主な特徴 代替製品との比較 RDS(on)を30%削減 FOM Qg x RDS(on)を29%改善 FOM Qgd x RDS(on)を46%改善 同期整流用に最適化 OR回路に最適 RoHS対応 - ハロゲンフリー MSL1定格 主な利点 最高の システム効率 必要な並列数が少ない 電力密度の向上 非常に低い電圧オーバーシュート スナバ回路の必要性が減少 システムコストの削減 対象アプリケーション SMPS ...
Infineon Technologies AG
電流: 61 A
電圧: 600 V
... CoolMOS™ P7スーパージャンクションMOSFETは、600V CoolMOS™ P6シリーズの後継製品です。引き続き、高効率のニーズと設計プロセスにおける使いやすさのバ ランスを取っています。CoolMOS™ 第 7 世代プラットフォームのクラス最高の RonxA と本質的に低いゲート電荷 (QG) は、その高効率を保証します。 特徴の概要 効率 P7は優れたFOM RDS(on)xEossとRDS(on)xQGを可能にします。 使いやすさ 180mN以上のRDS(on)sからESD ...
Infineon Technologies AG
電流: 61 A
電圧: 600 V
... CoolMOS™ P7スーパージャンクションMOSFETは、600V CoolMOS™ P6シリーズの後継製品です。引き続き、高効率のニーズと設計プロセスにおける使いやすさのバ ランスを取っています。CoolMOS™ 第 7 世代プラットフォームのクラス最高の RonxA と本質的に低いゲート電荷 (QG) は、その高効率を保証します。 特徴の概要 効率 P7は優れたFOM RDS(on)xEossとRDS(on)xQGを可能にします。 使いやすさ 180mN以上のRDS(on)sからESD ...
Infineon Technologies AG
電流: 61 A
電圧: 600 V
... CoolMOS™ P7スーパージャンクションMOSFETは、600V CoolMOS™ P6シリーズの後継製品です。引き続き、高効率のニーズと設計プロセスにおける使いやすさのバ ランスを取っています。CoolMOS™ 第 7 世代プラットフォームのクラス最高の RonxA と本質的に低いゲート電荷 (QG) は、その高効率を保証します。 特徴の概要 効率 P7は優れたFOM RDS(on)xEossとRDS(on)xQGを可能にします。 使いやすさ 180mN以上のRDS(on)sからESD ...
Infineon Technologies AG
電流: 20 A
電圧: 600 V
... CoolMOS™ P7スーパージャンクションMOSFETは、600V CoolMOS™ P6シリーズの後継製品です。引き続き、高効率のニーズと設計プロセスにおける使いやすさのバ ランスを取っています。CoolMOS™ 第 7 世代プラットフォームのクラス最高の RonxA と本質的に低いゲート電荷 (QG) は、その高効率を保証します。 特徴の概要 効率 P7は優れたFOM RDS(on)xEossとRDS(on)xQGを可能にします。 使いやすさ 180mN以上のRDS(on)sからESD ...
Infineon Technologies AG
電流: 18 A
電圧: 600 V
... 600V CoolMOS™ P7スーパージャンクションMOSFETは、600V CoolMOS™ P6シリーズの後継製品です。引き続き、高効率のニーズと設計プロセスにおける使いやすさのバ ランスを取っています。CoolMOS™ 第 7 世代プラットフォームのクラス最高の RonxA と本質的に低いゲート電荷 (QG) は、その高効率を保証します。 特徴の概要 効率 600V P7が優れたFOM RDS(on)xEossとRDS(on)xQGを実現 使いやすさ 180mN以上のRDS(on) ...
Infineon Technologies AG
電流: 9 A
電圧: 600 V
... CoolMOS™ P7スーパージャンクションMOSFETは、CoolMOS™ P6シリーズの後継製品です。引き続き、高効率のニーズと設計プロセスにおける使いやすさのバ ランスを取っています。CoolMOS™ 第 7 世代プラットフォームのクラス最高の RonxA と本質的に低いゲート電荷 (QG) は、その高効率を保証します。 特徴の概要 効率 P7は優れたFOM RDS(on)xEossとRDS(on)xQGを可能にします。 使いやすさ 180mN以上のRDS(on)sからESDダイオード ...
Infineon Technologies AG
電流: 101 A
電圧: 600 V
... 600V CoolMOS™ P7スーパージャンクションMOSFETは、600V CoolMOS™ P6シリーズの後継製品です。引き続き、高効率のニーズと設計プロセスにおける使いやすさのバ ランスを取っています。CoolMOS™ 第 7 世代プラットフォームのクラス最高の RonxA と本質的に低いゲート電荷 (QG) は、その高効率を保証します。 特徴の概要 効率 600V P7が優れたFOM RDS(on)xEossとRDS(on)xQGを実現 使いやすさ 180mN以上のRDS(on) ...
Infineon Technologies AG
電流: 101 A
電圧: 600 V
... CoolMOS™ P7スーパージャンクションMOSFETは、CoolMOS™ P6シリーズの後継製品です。引き続き、高効率のニーズと設計プロセスにおける使いやすさのバ ランスを取っています。CoolMOS™ 第 7 世代プラットフォームのクラス最高の RonxA と本質的に低いゲート電荷 (QG) は、その高効率を保証します。 特徴の概要 効率 P7は優れたFOM RDS(on)xEossとRDS(on)xQGを可能にします。 使いやすさ 180mN以上のRDS(on)sからESDダイオード ...
Infineon Technologies AG
電圧: 1,700, 2,500, 4,500 V
... 高速スイッチング機能などの特長があります。オン状態電圧の正温度係数により並列で使用できるこれらの高電圧 IGBT は、直列接続の低電圧機器よりもコスト効率に優れたソリューションを提供します。これにより、関連するゲート駆動回路の削減、設計の簡略化、そして システム全体の信頼性の向上に貢献します。 オプションとして、逆回復時間が短い高速回復ダイオードを同梱することができます。これは、スイッチング波形を滑らかにし、電磁妨害（EMI）を大幅に低減するよう最適化されています。 特長： 薄ウエハー ...
Littelfuse
電流: 600 A
電圧: 1,200 V
... 回路設計者の厳格な性能基準を満た すため、標準のソリューションとカ スタマイズソリューションの両方をご用意しています。 特長： トレンチゲート フィールドストップ IGBT 技術 低飽和電圧、正温度係数 高速切替、短いテール電流 フリーホイールダイオード、高速でソフトな逆回復 温度センサー内蔵 TJ 最高 175 °C アプリケーション： ...
Littelfuse
