ROHM Semiconductor/半導体・電子部品のロームのトランジスタ

電流: 20 A
電圧: 650 V

GNP1070TC-Zは650V GaN HEMTです。業界最高クラスのFOM(Ron*Ciss、Ron*Coss)を有し、低いオン抵抗と高速スイッチング性能を最大限生かすことで省エネ・小型化に貢献するEcoGaN™シリーズの製品であり、ESD保護機能付きで高信頼性設計にも貢献します。また、大電流対応かつ放熱性にも優れる汎用性の高いDFNパッケージは、実装工程でのハンドリングを容易にします。

電流: 24 A
電圧: 40 V

HP8KB6はスイッチング用途に最適な低オン抵抗のMOSFETです。 特長: 低オン抵抗 小型面実装パッケージ(HSOP8)で省ス ペース鉛フリー対応済み、RoHS準拠 ハロゲンフリー

電流: 24 A
電圧: 40 V

HP8KB7はスイッチング用途に最適な低オン抵抗のMOSFETです。 特長: 低オン抵抗 小型面実装パッケージ(HSOP8)で省 スペース鉛フリー対応済み、RoHS 準拠ハロゲンフリー

電流: 23 A
電圧: 60 V

HP8KC6はスイッチング用途に最適な低オン抵抗のMOSFETです。 特長: 低オン抵抗 小型面実装パッケージ(HSOP8)で省スペース 鉛フリー対応済み、RoHS準拠 ハロゲンフリー

電流: 24 A
電圧: 60 V

HP8KC7はスイッチング用途に最適な低オン抵抗のMOSFETです。 特長: 低オン抵抗 小型面実装パッケージ(HSOP8)で省スペース 鉛フリー対応済み、RoHS準拠 ハロゲンフリー

電流: 17 A
電圧: 100 V

HP8KE6はスイッチング用途に最適な低オン抵抗のMOSFETです。 特長: 低オン抵抗 小型面実装パッケージ(HSOP8)で省スペース 鉛フリー対応済み、RoHS準拠 ハロゲンフリー

電流: 24 A
電圧: 100 V

HP8KE7はスイッチング用途に最適な低オン抵抗のMOSFETです。 特長: 低オン抵抗 小型面実装パッケージ(HSOP8)で省スペース 鉛フリー対応済み、RoHS準拠 ハロゲンフリー

電流: 16.5 A
電圧: 40 V

HP8MB5はスイッチング用途に最適な低オン抵抗のMOSFETです。 特長: 低オン抵抗 小型面実装パッケージ(HSOP8)で省スペース 鉛フリー対応済み、RoHS準拠 ハロゲンフリー

電流: 12 A
電圧: 60 V

HP8MC5はスイッチング用途に最適な低オン抵抗のMOSFETです。 特長: 低オン抵抗 小型面実装パッケージ(HSOP8)で省スペース 鉛フリー対応済み、RoHS準拠 ハロゲンフリー

電流: 12 A
電圧: 40 V

HT8KB5はスイッチング用途に最適な低オン抵抗のMOSFETです。 特長: 低オン抵抗 小型ハイパワーパッケージ(HSMT8) 鉛フリー対応済み、RoHS準拠 ハロゲンフリー