- Eletricidade - Eletrônica
- Componente Eletrônico
- Transistor IGBT
- Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
Transistor IGBT RGW50N65F1Ade potência
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Características
- Tipo
- IGBT
- Tipo
- de potência
- Corrente
50 A
- Tensão
650 V
Descrição
Os IGBTs Rongtech 650V Trench Field Stop IGBTs oferecem baixas perdas de comutação, alta eficiência energética e alta robustez de avalanche para controle de movimento, aplicação solar e máquina de soldagem.
CARACTERÍSTICAS
-Alta tensão de desagregação até 650V para maior confiabilidade
-Oferta de tecnologia Trench-Stop:
>Comutação de alta velocidade
>Alta robustez, temperatura estável
>Tempo de resistência de curto-circuito - 5ps
>VcEsat LENTO
>Capacidade de comutação paralela fácil devido ao coeficiente de temperatura positivo em
VcEsat
Capacidade de avalanche aprimorada
APLICAÇÃO
-Fontes de alimentação ininterruptas
-Inversor
-Conversores de Soldagem
-Aplicações PFC
-Conversor com alta frequência de comutação
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Catálogos
Outros produtos Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
Discrete IGBT & Module power semi conductors
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* Os preços não incluem impostos, transporte, taxas alfandegárias, nem custos adicionais associados às opções de instalação e de ativação do serviço. Os preços são meramente indicativos e podem variar em função dos países, do custo das matérias-primas e das taxas de câmbio.