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Módulo de transistores IGBT RTU100HF120FA1
de potência

módulo de transistores IGBT

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Características

Tipo: IGBT
Tipo: de potência
Corrente: 100 A
Tensão: 1.200 V

Descrição

Características: -1200V100A,VCE(sat)(tip.)=3.0V Velocidade de comutação ultra-rápida Excelente robustez em curto-circuito -Módulo de meia ponte de 34 mm Aplicações Gerais: Os IGBTs da Rongtech oferecem velocidade de comutação ultra-rápida para aplicações como soldagem, aquecimento indutivo, UPS e outras aplicações de alta frequência

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Tradução automática (ver texto original em inglês)

Catálogos

RTU100HF120FA1

7 Páginas

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