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Transistores Bourn And Koch
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Corrente: -0,5 A
Tensão: -50 V
... 50A02CH é um transístor bipolar, VCE(sat) baixo, PNP simples para aplicação em amplificadores de uso geral de baixa frequência. Aplicações Amplificador de Baixa Frequência Comutação de alta velocidade Acionamento de motor pequeno Circuito ...
Onsemi
Corrente: 0,4 A - 45 A
Tensão: 36 V - 70 V
... A ST oferece uma vasta gama de comutadores inteligentes de 3 e 5 pinos para automóveis (OMNIFET) baseados na tecnologia VIPower (vertical intelligent power). Esta tecnologia proprietária permite a integração de circuitos completos de controlo digital ...
STMicroelectronics
Tensão: 7,5 V
... saída de rádio portátil de banda UHF Estágio de saída para rádio portátil de 700-800 MHz Controlador genérico de 6 W para transístores de fase final ISM e de radiodifusão ...
Tensão: 0,24 V - 3,5 V
Tensão: 110, 265 V
... Descrição: TOPSwitch-HX incorpora um MOSFET de 700 V de potência, fonte de corrente comutada de alta tensão, controle PWM, oscilador, circuito de desligamento térmico, proteção contra falhas e outros circuitos de controle em um dispositivo monolítico. Menor ...
Power Integrations
Corrente: 0,8 A
Tensão: 50 V
... Ganho de corrente DC hFE Max.:400 Ganho de corrente DC hFE Min.:160 Descrição:TO-92, 50V, 0.8A, NPN Transistor Bipolar IC (A):0.8 PD (W):0.625 Pacote:TO-92 Polaridade: NPN Estado:Ativo TJ Max. (°C):150 VCBO (V):50 VCE Sat. (V):0.7 VCEO ...
Tensão: 20, 50 V
... Transistor MOSFET e NPN de canal N em um único pacote Baixa Resistência a On-Resistência Tensão muito baixa do limiar do portão, 1,0 V máx Baixa capacitância de entrada Velocidade de comutação rápida Baixa Vazamento de Entrada/Saída ...
Diodes Incorporated
Tensão: 45 V
... Os tipos BCX51, BCX52 e BCX53 da CENTRAL SEMICONDUCTOR são transístores de silício PNP fabricados pelo processo planar epitaxial, moldados em epóxi num invólucro de montagem em superfície, concebidos para aplicações de amplificadores ...
Central Semiconductor
Corrente: 1 mA - 20 mA
Tensão: 2,7 V
Broadcom
... portfólio de Transistores Bipolares RF de Silício e FETs de GaAs Os transistores GaAs FET RF são ideais para o primeiro ou segundo estágio da estação base LNA devido à excelente combinação de baixo ruído e linearidade ...
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