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Corrente: -16,4 A
Tensão: -60 V
... baterias, comutação de carga e proteção contra polaridade inversa. A principal vantagem de um dispositivo de canal P é a redução da complexidade do projeto em aplicações de média e baixa potência. A sua interface fácil ...
Infineon Technologies AG
Corrente: 150 A - 3.600 A
Tensão: 1.200, 1.700, 3.300, 4.500, 6.500 V
... potência IGBT da Hitachi Energy estão disponíveis em versões de 1.700 a 6.500 volts como módulos IGBT de chopper simples, duplo/fásico e duplo diodo. Os módulos HiPak IGBT de alta potência ...
Corrente: 5, 20, 30, 50 A
Tensão: 600 V
... O IGBT discreto da série BID da Bourns® combina a tecnologia de uma porta MOS e de um transístor bipolar, criando o componente certo para aplicações de alta tensão e alta corrente. Este dispositivo utiliza ...
Corrente: 20 A
Tensão: 650 V
... resistência à rutura eletrostática até 3,5 kV, o que conduz a uma maior fiabilidade da aplicação. As características de comutação de alta velocidade dos HEMTs GaN também contribuem para uma maior miniaturização ...
ROHM Semiconductor
Tensão: 60 V
... Transístor de silício epitaxial NPN Aplicações Este produto é de uso geral e adequado para muitas aplicações diferentes. ...
Fairchild Semiconductor
Corrente: 8 A
Tensão: 600 V
... Este IGBT utiliza o avançado processo PowerMESH™, resultando num excelente compromisso entre o desempenho de comutação e o baixo comportamento no estado. Todas as características Menor queda de tensão ...
STMicroelectronics
Tensão: 50 V
... O Semicondutor Central CMKT3920 (dois transístores NPN simples) é uma combinação dupla em um espaço pacote SOT-363 ULTRAmini™, projetado para pequenos amplificadores de sinal de uso geral e aplicações de comutação. CÓDIGO ...
Corrente: 0,8 A
Tensão: 50 V
... Ganho de corrente DC hFE Max.:400 Ganho de corrente DC hFE Min.:160 Descrição:TO-92, 50V, 0.8A, NPN Transistor Bipolar IC (A):0.8 PD (W):0.625 Pacote:TO-92 Polaridade: NPN Estado:Ativo TJ Max. (°C):150 VCBO (V):50 VCE ...
Tensão: 20, 50 V
... Transistor MOSFET e NPN de canal N em um único pacote Baixa Resistência a On-Resistência Tensão muito baixa do limiar do portão, 1,0 V máx Baixa capacitância de entrada Velocidade de comutação rápida ...
Diodes Incorporated
Corrente: 100 mA
Tensão: 60, 50 V
... Aplicações típicas Controlos digitais Comutação, processamento de sinais Classe comercial / industrial Sufixo -Q: Conformidade com AEC-Q101) Sufixo -AQ: em conformidade com a qualificação AEC-Q101 x) Características Poupança ...
Diotec
... Características: - Portão de paragem de campo IGBT - Valor de curto-circuito>10ps - - Baixa Tensão de Saturação - Baixa perda por comutação - 100% RBSOA Tested (2*lc) - Baixa Indutância de Rajada - ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
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