Transistor HEMT GNP1070TC-Z

de potênciade comutaçãopor resistência elétrica

O GNP1070TC-Z é um HEMT GaN de 650V que alcançou a classe FOM (Ron*Ciss、Ron*Coss) mais elevada da indústria. É um produto da série EcoGaN™ que contribui para a eficiência de conversão de energia e redução de tamanho, fazendo o melhor uso de baixa resistência ON e comutação de alta velocidade. A função de proteção ESD está integrada para uma conceção de elevada fiabilidade. Além disso, as embalagens altamente versáteis proporcionam uma excelente dissipação de calor e facilitam a montagem. Visão geral Este produto proporciona um desempenho líder na indústria em termos de RDS(ON) × Ciss / RDS(ON) × Coss, uma figura de mérito para HEMTs GaN, traduzindo-se numa maior eficiência em sistemas de alimentação eléctrica. Simultaneamente, um elemento de proteção ESD incorporado melhora a resistência à rutura eletrostática até 3,5 kV, o que conduz a uma maior fiabilidade da aplicação. As características de comutação de alta velocidade dos HEMTs GaN também contribuem para uma maior miniaturização dos componentes periféricos. Exemplos de aplicações Ideal para uma vasta gama de sistemas de alimentação eléctrica em equipamento industrial e dispositivos de consumo, incluindo servidores e adaptadores AC