光学調整システム

ウエハ－ス用測定用高精度

概要
両面露光後の前面・背面パターンのずれ量およびボンディング後のウェハのずれをTop-Bottom測定で同時計測します。表面層露光後の位置ずれはTop-Top測定で計測します。カセット間搬送タイプおよびセミオートタイプを用意しています。

用途

• 半導体デバイス製造
• CMOSデバイスのプロセス管理
• センサー製造における表裏パターニング精度管理

主な仕様

• ウェハサイズ：最大 φ12インチ
• 測定再現性：10X → 0.2 μm / 3σ（Top-Bottom）；20X → 0.02 μm / 3σ（Top-Bottom）
• 画面上の測定位置：25箇所
• レシピ容量：2,000
• スループット：Top-Top 100 枚/時（5点測定）；Top-Bottom 100 枚/時
• 構成：カセット間搬送タイプ、セミオートタイプ

操作・統合

• 最大 2,000 件の測定レシピと設定可能な測定ポイントをサポート
• ライン上（カセット間搬送）への組み込みおよびスタンドアロンのセミオート運転に対応
• 測定モード：Top-Top、Top-Bottom（表面・接合層のアライメント確認）