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プレート状グラス
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特徴
- 形状
- プレート状
- 厚さ
0.3 mm
(0.012 in)
詳細
概要
貫通孔配線（TGV）を用いた三次元ウェーハレベルパッケージング（WLP）は、半導体の小型化を可能にし、金属配線により高周波特性を向上させます。
特長
WL‑CSP MEMSパッケージに最適
エンドユーザ市場／用途
特性 / 仕様
貫通孔配線（TGV）を用いた三次元ウェーハレベルパッケージング（WLP）は、半導体の小型化を可能にし、金属配線により高周波特性を向上させます。
特長
- シリコンウェーハとの陽極接合（アノードボンディング）に対応
- 接着剤を使わない工程によりアウトガス問題を解消
- RF用途に適した高周波特性
- TSVと比べて低い浮遊容量
- 低インダクタンス
- 金属ロッドによる低電気抵抗
WL‑CSP MEMSパッケージに最適
- 高精度のViaピッチ許容
- φ200 mmウェーハでの累積ピッチ ≤ ±20 μm
- 累積Viaピッチ ≤ ±20 μm
- φ200 mmウェーハまで対応
エンドユーザ市場／用途
- AV／モバイル：スマートフォン、携帯機器、デジタルカメラ、カーナビ用のRFスイッチ／リレー；圧力センサ；ジャイロ；加速度センサ；イメージセンサ
- 自動車：各種圧力センサ；加速度センサ；ジャイロ
- 半導体：RF‑MEMSスイッチ；イメージセンサ
- バイオ／医療：医療機器向け圧力センサ
特性 / 仕様
- 材料：Borofloat 33、SW-YY
- ガラスサイズ：≤ φ200 mm
- 最小厚さ：0.3 mm
- 最小Via径：φ0.15 mm
- 孔径公差：±0.02 mm
- 最大アスペクト比（深さ：径）：1 : 5
- Via材料：Si、W（タングステン）
- Via気密性（Heリーク試験）：1×10^-9 Pa·m^3/s
- Via–ガラスギャップ（標準）：0 μm〜3.0 μm
- Via–ガラスギャップ（オプション1）：0 μm〜1.0 μm
- Via–ガラスギャップ（オプション2）：-3.0 μm〜0 μm
- Via形状：直線
- キャビティ加工：対応可
- めっき（メタライズ）加工：対応可
- バンプ形成加工：対応可
*価格には税、配送費、関税また設置・作動のオプションに関する全ての追加費用は含まれておりません。表示価格は、国、原材料のレート、為替相場により変動することがあります。
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