概要陽極接合によりシリコンウェハとの接合が可能で、接着剤不要によりアウトガス問題を解消し、ウェハレベルパッケージング(WLP)工程での使用に適します。
主な特長- 微密孔加工:最小孔径 φ0.1mm
- 最大ガラスサイズ:最大 φ300 mm(工程により最大 φ200 mm に限定される場合あり)
- デバイスウェハのボンディング歩留まり向上:孔周辺のたわみ抑制、チッピング最小化(≦10 μm 対応可)
標準仕様- 材質:ガラス
- ガラスサイズ:≦ φ300 mm (*)
- 最小厚さ:0.15 mm
- 厚さ公差:±0.01 mm
- 最小孔径:φ0.1 mm
- 孔形状:要望に応じて(直形 / テーパー / ステップ)
- 孔径公差:±0.02 mm
- チッピング(崩れ):≦100 μm(特殊加工で ≦10 μm まで対応可)
- メタライズ処理:対応可
たわみの比較シャープエッジタイプたわみ幅:<10 μm
たわみ深さ:<0.1 μm
標準タイプたわみ幅:>400 μm
たわみ深さ:>0.7 μm
チッピングの比較低チッピングタイプ(比較図は製品ページにて表示)
標準タイプ(比較図は製品ページにて表示)
適用市場 / 用途技術仕様- 材質:ガラス
- ガラスサイズ:≦ φ300 mm(工程により φ200 mm 限定あり)
- 最小厚さ:0.15 mm
- 厚さ公差:±0.01 mm
- 最小孔径:φ0.1 mm
- 孔径公差:±0.02 mm
- 孔形状:直形 / テーパー / ステップ(要望に応じて)
- チッピング:≦100 μm(特殊加工で ≦10 μm 対応可)
- 貫通孔断面形状:直形 / テーパー / ステップ
- メタライズ処理:対応可
- 陽極接合によりシリコンウェハと接合可能、WLP工程対応