製品説明本セッタープレートは、反応結合(reaction-bonded)の高純度炭化ケイ素(SiC)で製造され、耐火炉内での長時間荷重支持において安定した寸法と耐久性を提供します。表面は滑らかで寸法公差は厳格に管理されており、最大使用温度1650°C(動作耐性 ≥1300°C)までの連続使用に適しています。
主な特長- 高温対応:動作耐性 ≥1300°C、空気中連続使用最大1650°C
- 材質:反応結合高純度炭化ケイ素(SiC)
- 精密寸法:400 × 350 × 5 mm、許容差 ±0.1 mm
- 低吸水率・高密度:見かけの開孔率 ≤0.2% により荷重支持性が向上
- 電気的・熱的特性:高い比抵抗と熱伝導率 120–150 W/(m·K)
用途- 高純度SiC部品の焼結
- セラミックスや金属粉の工業用炉での焼結処理
- 高温電子材料の加工
- 耐火材料の加工およびその他高温荷重支持工程
製品情報式:SiC
形状:プレート
材料:反応結合炭化ケイ素(高純度SiC)
CAS番号:409-21-2
商品種別:セッタープレート(Setter Plate)
SKU:68061-00001-1628
仕様 / 許容差長さ:400 mm ±0.1 mm
幅:350 mm ±0.1 mm
厚さ:5 mm ±0.1 mm
電気的特性電気抵抗率(20°C)Ω·cm:5e6
物理特性見かけの開孔率(%):≤ 0.2
熱特性熱伝導率(20°C)W/(m·K):120 - 150
熱膨張係数(1×10⁻⁶ m/K):4
空気中での最大使用温度(°C):1650
機械的特性硬度 Rockwell (HRA):92 - 94
ヤング率(GPa):400
技術仕様- 商品名:Silicon Carbide Firing Support Setter Plate
- 寸法:400 × 350 × 5 mm
- 許容差:長さ・幅・厚さそれぞれ ±0.1 mm
- 材料:反応結合炭化ケイ素(SiC)、高純度
- CAS番号:409-21-2
- 標準重量(単体):2.48 kg