電話線用梱包材

産業用エレクトロニック産業用電気部品用

概要
密封型オプトエレクトロニクスパッケージは、フォトニックおよびオプトエレクトロニクス部品に対して密閉された機械的・熱的インターフェースを提供します。設計・試作からパイロット生産、量産までのワンストップ対応を行い、金属、HTCC、LTCC の外殻で光学的・熱的・環境的要件に対応します。用途は通信（5G）、LiDAR、医療画像、パワーエレクトロニクス等です。

製品

• 金属パッケージ
• 金属外殻はガラス‑メタル／セラミック‑メタル接合を用いて密閉ハウジングを形成し、チップ周囲環境を安定化させ効率的な熱放散を可能にします。湿度、温度サイクル、腐食性環境からデバイスを保護します。代表的用途：基地局レーダーモジュール、電子対抗装置、計測・制御機器、信号電源装置。

技術的利点（金属パッケージ）

• 対応材料：Kovar、炭素鋼、ステンレス、タングステン銅、アルミニウム合金
• 対応溶接/密封方法：エネルギー貯蔵溶接、並列シーム溶接、はんだ付け、レーザーシール溶接
• 絶縁抵抗 ≥ 5000 MΩ（500 V DC 測定）
• 気密性（He）：R1 ≤ 1×10⁻³ Pa·cm³/s
• 塩水噴霧耐性：24 h / 48 h / 72 h 試験に対応可能
• 研究開発・設計から生産までの一貫した産業チェーン、カスタマイズ対応可

製品モデル

• 信号処理装置ハウジング
• 電力モジュールパッケージ
• モータドライブおよびPWMパッケージ
• 離散半導体用セラミックパッケージ
• リプレイパッケージ
• 蓋・キャップ
• 電力用表面実装パッケージ

HTCC セラミックパッケージ外殻

• Ceramic Dual In-line Package (CDIP)
• Ceramic Flat Pack / Ceramic Quad Flat Pack (CFP / CQFP)
• Ceramic Quad Flat Non-leaded Package (CQFN)
• Ceramic Pin Grid Array (CPGA)
• Ceramic Small Outline Package (CSOP)
• Ceramic Leadless Chip Carrier (CLCC)

技術的利点（HTCC）

• めっきは自己制御
• 外殻／基板構造、配線、熱挙動、信頼性を最適化する高度な設計・シミュレーション技術
• 一貫した産業チェーンとカスタマイズサービス

LTCC セラミックパッケージ外殻
LTCC（低温同時焼成セラミックス）はアルミナとガラスを主体とし、金・銀・銅などの高導電性導体ペーストを約850〜900°Cで低温同時焼成した多層セラミック基板です。LTCC は低導体抵抗と低誘電率により RF、マイクロ波、ミリ波デバイスの封止に適します。

技術的利点（LTCC）

• 最小トレース幅／間隔：100 µm
• 最小ビア／開口：100 µm
• 最小穴間隔：開口の 2.5 倍
• 最大層数：40 層
• 製品系統：高周波低損失タイプおよび高強度タイプ

材料系
基材性能

• 鉄‑ニッケル‑コバルト合金 | 4J29 | 密度 8.2 g/cm³ | CTE 5.3 ×10⁻⁶/°C（20–300°C）| TC 17 W/m·K
• ニッケル‑鉄合金 | 4J42 | 密度 7.12 g/cm³ | CTE 4.8 ×10⁻⁶/°C | TC 13 W/m·K
• 普通炭素鋼 | 10# | 密度 7.8 g/cm³ | CTE 13.0 ×10⁻⁶/°C | TC 46 W/m·K
• OFHC（TU1） | TU1 | 密度 8.9 g/cm³ | CTE 17.6 ×10⁻⁶/°C | TC ≈ 390 W/m·K
• W/Cu | WCu85/15 | 密度 16.4 g/cm³ | CTE 7.2 ×10⁻⁶/°C | TC ≈ 180 W/m·K
• ステンレス鋼 | 304 / 316 | 密度 7.93 / 7.98 g/cm³ | CTE 17.2 / 20 ×10⁻⁶/°C | TC 16 / 16.29 W/m·K

ピン材料性能

• 鉄‑ニッケル‑コバルト合金 | 4J29 | 比抵抗 48 µΩ·cm | CTE 5.3 ×10⁻⁶/°C
• ニッケル‑鉄合金 | 4J50 | 比抵抗 43 µΩ·cm | CTE 9.5 ×10⁻⁶/°C
• 銅芯 52 合金 | 4J50 | 比抵抗 12 µΩ·cm | CTE 11.5 ×10⁻⁶/°C
• 銅合金（Tul） | Tul | 比抵抗 1.7 µΩ·cm | CTE 17.6 ×10⁻⁶/°C

典型用途

• 高出力レーザー用 TO パッケージ
• 自動車用リレーのシール
• ディスクリート半導体デバイスのパッケージ
• 多層セラミック基板
• 表面実装型パワーパッケージ
• 光通信：400G トランシーバの密封
• 車載電子機器：自動運転向け LiDAR エミッタのパッケージング
• 新エネルギー：BMS（バッテリーマネジメントシステム）用絶縁端子

仕様（技術仕様）

• 絶縁抵抗：≥ 5000 MΩ（500 V DC 測定）
• 気密性（ヘリウム）：R1 ≤ 1×10⁻³ Pa·cm³/s
• 塩水噴霧による腐食耐性：24 h / 48 h / 72 h 試験に対応可能
• 金属パッケージ対応材料：Kovar、炭素鋼、ステンレス、W‑Cu、アルミ合金
• 対応溶接/密封方法：エネルギー貯蔵溶接、並列シーム溶接、はんだ付け、レーザーシール溶接
• HTCC タイプ：CDIP、CFP/CQFP、CQFN、CPGA、CSOP、CLCC
• LTCC 能力：最小トレース/間隔 100 µm、最小 via/aperture 100 µm、最小穴間隔 2.5×aperture、最大 40 層、HF 低損失／高強度の製品オプション
• 代表的な熱伝導率例：OFHC (TU1) ≈ 390 W/m·K；WCu85/15 ≈ 180 W/m·K