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Amplificador operacional LM358
comparadoranalógicocom filtragem

Amplificador operacional - LM358 - Texas Instruments - comparador / analógico / com filtragem
Amplificador operacional - LM358 - Texas Instruments - comparador / analógico / com filtragem
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Características

Tipo
operacional
Função secundária
comparador
Outras características
analógico, bipolar, de duas vias, com filtragem
Tensão

MÁX: 30 V

MÍN: 3 V

Corrente

0,35 mA

Frequência

0,7 Hz

Descrição

Visão geral
O LM358 é um amplificador operacional dual que fornece dois canais com estabilidade em ganho unitário e ampla faixa de alimentação para aplicações industriais e embarcadas de uso geral. Variantes de nova geração (LM358B, LM2904B/BA) apresentam offset reduzido, menor corrente de repouso e filtragem EMI/RF integrada para desempenho aprimorado.

Descrição principal
A família LM358 possui faixa de entrada modo comum que inclui terra, baixo offset de entrada e boa tolerância a tensões diferenciais. A GBW típica é ~0,7 MHz; variantes B/BA aumentam a largura de banda e reduzem a corrente de repouso. Os dispositivos são adequados para ambientes sensíveis a custos e aplicações exigentes que requerem robustez ESD e imunidade EMI.

Funções
  • Faixa de tensão de alimentação: 3 V a 30 V (até 36 V em algumas variantes B/BA)
  • Corrente de repouso: ~300–350 µA por canal (típica, dependendo da variante)
  • Largura de banda em ganho unitário: ~0,7 MHz (LM358); ~1,2 MHz (LM358B/BA)
  • Faixa de entrada modo comum inclui terra (permite medição próxima a 0 V)
  • Baixo offset de entrada: até 2–3 mV conforme a variante
  • Filtros RF/EMI integrados e maior proteção ESD nas variantes B/BA


Ficha técnica
Consulte a ficha técnica "Industry‑Standard Dual Operational Amplifiers" (Rev. AB) para características elétricas completas, pinagem e orientações de aplicação.

Encapsulamentos e mídia
  • Encapsulamentos comuns: PDIP, SOIC, SOP, TSSOP, VSSOP, SOT23‑8
  • Diagrama funcional e desenhos de encapsulamento disponíveis


Descrição (detalhada)
As variantes LM358B/LM2904B introduzem melhorias como offset típico mais baixo (≈300 µV citado para B/BA), corrente de repouso reduzida (~300 µA por amplificador), maior robustez ESD (p.ex. 2 kV HBM para algumas variantes) e filtragem EMI/RF integrada, adequadas para ambientes mais severos e projetos com restrição de espaço.

Características / especificações técnicas
  • Número de canais: 2
  • Tensão total de alimentação (max): 30 V
  • Tensão total de alimentação (min): 3 V
  • Rail-to-rail: entrada até V− (modo comum inclui terra)
  • GBW (typ): 0,7 MHz (LM358); ~1,2 MHz (B/BA)
  • Slew rate (typ): 0,3 V/µs
  • Vos (max a 25 °C): até 7 mV (catálogo); 3 mV (A/B); 2 mV (BA)
  • Iq por canal (typ): 0,35 mA (típico); ~0,3 mA para B/BA
  • Vn a 1 kHz (typ): 40 nV/√Hz
  • Faixa de temperatura de operação: 0 a 70 °C
  • CMRR (typ): 80 dB
  • Iout (typ): 30 mA
  • Arquitetura: Bipolar
  • Encapsulamentos representativos: PDIP (8 pinos), SOIC (8 pinos), SOP, TSSOP, VSSOP, SOT23‑8
* Os preços não incluem impostos, transporte, taxas alfandegárias, nem custos adicionais associados às opções de instalação e de ativação do serviço. Os preços são meramente indicativos e podem variar em função dos países, do custo das matérias-primas e das taxas de câmbio.