Embalagem para linha telefônica
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Embalagem para linha telefônica - Xiamen Innovacera Advanced Materials Co., Ltd - para aplicações industriais / para a indústria eletrônica / para equipamento elétrico
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Características

Uso previsto
para aplicações industriais, para equipamento elétrico, para a indústria eletrônica, para linha telefônica
Outras características
por medida

Descrição

Descrição
Invólucros optoeletrônicos herméticos fornecem uma interface mecânica e térmica selada para componentes fotônicos e optoeletrônicos. Fornecemos solução completa desde design e prototipagem até produção piloto e em massa, com invólucros em metal, HTCC e LTCC que atendem requisitos ópticos, térmicos e ambientais para telecomunicações, LiDAR, imagem médica e eletrônica de potência.

Produtos
  • Invólucros metálicos
  • Os invólucros metálicos utilizam interfaces vidro‑metal e cerâmica‑metal para criar caixas seladas que estabilizam o ambiente do chip e permitem dissipação térmica eficiente. Protegem contra umidade, ciclos de temperatura e ambientes corrosivos. Usos típicos: módulos de radar para estação base, unidades de contramedidas eletrônicas, instrumentos de medição e controle e fontes de alimentação de sinal.

Vantagens técnicas (Invólucro metálico)
  • Materiais compatíveis: Kovar, aço carbono, aço inoxidável, tungsténio‑cobre, ligas de alumínio
  • Métodos de soldagem/selagem suportados: soldagem por armazenamento de energia, soldagem de costura paralela, soldagem com estanho, selagem por soldagem a laser
  • Resistência de isolamento ≥ 5000 MΩ (medida a 500 V DC)
  • Estanquidade (He): R1 ≤ 1×10⁻³ Pa·cm³/s
  • Resistência a névoa salina: configurável para testes de corrosão de 24 h / 48 h / 72 h
  • Ecossistema industrial completo desde P&D e design até produção; serviços personalizáveis

Modelos de produto
  • Caixas para dispositivos de processamento de sinal
  • Pacotes para módulos de potência
  • Pacotes para acionamentos de motor e PWM
  • Invólucros cerâmicos para dispositivos semicondutores discretos
  • Invólucros de replay
  • Tampas e coberturas
  • Pacotes de potência para montagem em superfície

Invólucros cerâmicos HTCC
  • Ceramic Dual In-line Package (CDIP)
  • Ceramic Flat Pack / Ceramic Quad Flat Pack (CFP / CQFP)
  • Ceramic Quad Flat Non-leaded Package (CQFN)
  • Ceramic Pin Grid Array (CPGA)
  • Ceramic Small Outline Package (CSOP)
  • Ceramic Leadless Chip Carrier (CLCC)

Vantagens técnicas (HTCC)
  • Processo de galvanização autogerido
  • Projeto e simulação avançados para otimizar estrutura invólucro/substrato, roteamento, comportamento térmico e confiabilidade
  • Capacidades de cadeia industrial completa com opções de personalização

Invólucros cerâmicos LTCC
LTCC (Low Temperature Co-fired Ceramic) combina alumina e vidro com pastas condutoras de alta condutividade (ouro, prata, cobre) co‑fritadas a ~850–900°C. Invólucros LTCC são adequados para RF, micro‑ondas e embalagem de dispositivos de onda milimétrica devido à baixa resistividade do condutor e pequena constante dielétrica.

Vantagens técnicas (LTCC)
  • Largura/espacamento mínimo de trilha: 100 µm
  • Via/aperture mínimo: 100 µm
  • Espaçamento mínimo entre furos: 2,5 × aperture
  • Até 40 camadas funcionais
  • Opções de produto: alta frequência baixa perda e alta resistência

Sistema de materiais
Desempenho dos materiais base
  • Liga ferro‑níquel‑cobalto | 4J29 | Densidade 8,2 g/cm³ | CTE 5,3 ×10⁻⁶/°C (20–300°C) | TC 17 W/m·K
  • Liga níquel‑ferro | 4J42 | Densidade 7,12 g/cm³ | CTE 4,8 ×10⁻⁶/°C | TC 13 W/m·K
  • Aço carbono simples | 10# | Densidade 7,8 g/cm³ | CTE 13,0 ×10⁻⁶/°C | TC 46 W/m·K
  • OFHC (TU1) | TU1 | Densidade 8,9 g/cm³ | CTE 17,6 ×10⁻⁶/°C | TC ≈ 390 W/m·K
  • W/Cu | WCu85/15 | Densidade 16,4 g/cm³ | CTE 7,2 ×10⁻⁶/°C | TC ≈ 180 W/m·K
  • Aço inoxidável | 304 / 316 | Densidade 7,93 / 7,98 g/cm³ | CTE 17,2 / 20 ×10⁻⁶/°C | TC 16 / 16,29 W/m·K

Desempenho dos materiais de pinos
  • Liga ferro‑níquel‑cobalto | 4J29 | Resistividade 48 µΩ·cm | CTE 5,3 ×10⁻⁶/°C
  • Liga níquel‑ferro | 4J50 | Resistividade 43 µΩ·cm | CTE 9,5 ×10⁻⁶/°C
  • Liga com núcleo Cu 52 | 4J50 | Resistividade 12 µΩ·cm | CTE 11,5 ×10⁻⁶/°C
  • Liga de cobre (Tul) | Tul | Resistividade 1,7 µΩ·cm | CTE 17,6 ×10⁻⁶/°C

Aplicações típicas
  • Pacotes TO para lasers de alta potência
  • Vedação de relés automotivos
  • Embalagem de dispositivos semicondutores discretos
  • Substratos cerâmicos multicamadas
  • Pacotes de potência para montagem em superfície
  • Comunicações ópticas: vedação hermética de transceptores 400G
  • Eletrônica automotiva: embalagem de emissores LiDAR para condução autónoma
  • Novas energias: terminais isolados para sistemas de gestão de baterias (BMS)

Especificações técnicas
  • Resistência de isolamento: ≥ 5000 MΩ (medida a 500 V DC)
  • Estanquidade (hélio): R1 ≤ 1×10⁻³ Pa·cm³/s
  • Resistência à corrosão por nevoeiro salino: configurável para testes de 24 h / 48 h / 72 h
  • Materiais suportados para invólucros metálicos: Kovar, aço carbono, aço inoxidável, tungsténio‑cobre, liga de alumínio
  • Métodos de soldagem/selagem suportados: soldagem por armazenamento de energia, soldagem de costura paralela, soldagem com estanho, selagem por laser
  • Tipos HTCC: CDIP, CFP/CQFP, CQFN, CPGA, CSOP, CLCC
  • Capacidades LTCC: trilha/espacamento min 100 µm, via/aperture min 100 µm, espaçamento mínimo de furos 2,5×aperture, até 40 camadas, opções HF baixa perda e alta resistência
  • Exemplos representativos de condutividade térmica: OFHC (TU1) ≈ 390 W/m·K; WCu85/15 ≈ 180 W/m·K

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