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Tensão: 60 V
... Transístor de silício epitaxial NPN Aplicações Este produto é de uso geral e adequado para muitas aplicações diferentes. ...
Onsemi
Corrente: 15 A
Tensão: 60 V - 120 V
... O transístor de potência bipolar foi concebido para áudio de alta potência, motor passo a passo e outras aplicações lineares. Também pode ser utilizado em circuitos de comutação de potência, tais como controladores de ...
Onsemi
Corrente: 15 A
Tensão: 60 V - 120 V
... O transístor de potência bipolar foi concebido para áudio de alta potência, motor passo a passo e outras aplicações lineares. Também pode ser utilizado em circuitos de comutação de potência, tais como controladores de ...
Onsemi
Corrente: 10 A
Tensão: 100 V
... O transístor de potência bipolar foi concebido para aplicações de amplificação e comutação de uso geral, em que a superfície de montagem do dispositivo tem de estar eletricamente isolada do dissipador de calor ou do chassis. Características Encapsulamento ...
Onsemi
Corrente: 800 A
Tensão: 1.200 V
... O NXH800H120L7QDSG é um módulo de potência IGBT de meia ponte nominal. Os IGBTs Field Stop Trench 7 e os díodos Gen. 7 integrados proporcionam menores perdas de condução e perdas de comutação, permitindo aos projectistas ...
Onsemi
Corrente: 800 A
Tensão: 1.200 V
... O SNXH800H120L7QDSG é um módulo de potência IGBT de meia ponte nominal. Os IGBTs Field Stop Trench 7 e os díodos Gen. 7 integrados proporcionam menores perdas de condução e perdas de comutação, permitindo aos projectistas ...
Onsemi
Corrente: 8 A
Tensão: 600 V
... Este IGBT utiliza o avançado processo PowerMESH™, resultando num excelente compromisso entre o desempenho de comutação e o baixo comportamento no estado. Todas as características Menor queda de tensão no estado ligado ...
STMicroelectronics
Corrente: 8 A
Tensão: 600 V
... Este IGBT utiliza o avançado processo PowerMESH™, resultando num excelente compromisso entre o desempenho de comutação e o baixo comportamento no estado. Todas as características Menor queda de tensão no estado ligado ...
STMicroelectronics
Corrente: 8 A
Tensão: 600 V
... Este IGBT utiliza o avançado processo PowerMESH™, resultando num excelente compromisso entre o desempenho de comutação e o baixo comportamento no estado. Todas as características Menor queda de tensão no estado ligado ...
STMicroelectronics
Corrente: 8 A
Tensão: 600 V
... Este IGBT utiliza o avançado processo PowerMESH™, resultando num excelente compromisso entre o desempenho de comutação e o baixo comportamento no estado. Todas as características Menor queda de tensão no estado ligado ...
STMicroelectronics
Corrente: 30 A
Tensão: 600 V
... Este IGBT utiliza o avançado processo PowerMESH, resultando num excelente compromisso entre o desempenho de comutação e o baixo comportamento no estado activo. Todas as características Baixa queda de tensão no estado ...
STMicroelectronics
Corrente: 0,8 A
Tensão: 50 V
... Ganho de corrente DC hFE Max.:400 Ganho de corrente DC hFE Min.:160 Descrição:TO-92, 50V, 0.8A, NPN Transistor Bipolar IC (A):0.8 PD (W):0.625 Pacote:TO-92 Polaridade: NPN Estado:Ativo TJ Max. (°C):150 VCBO (V):50 VCE Sat. (V):0.7 VCEO ...
Tensão: 20, 50 V
... Transistor MOSFET e NPN de canal N em um único pacote Baixa Resistência a On-Resistência Tensão muito baixa do limiar do portão, 1,0 V máx Baixa capacitância de entrada Velocidade de comutação rápida Baixa Vazamento ...
Diodes Incorporated
Tensão: 11 V
... 3.Ganho unitário de 2 GHz para aplicações de comutação RF - Totalmente livre de chumbo e totalmente compatível com RoHS (Notas 1 e 2) - Halogéneo e Antimónio Livre. Dispositivo "Verde" (Nota 3) - Qualificado para os padrões AEC-Q101 para ...
Diodes Incorporated
Tensão: 50, 60, 7 V
... O CMKT3920 da Central Semiconductor (dois transístores NPN simples) é uma combinação dupla numa embalagem SOT-363 ULTRAmini™ economizadora de espaço, concebida para aplicações de comutação e amplificadores de uso geral ...
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