自動グルービングマシン ALSI LASER1206

概要
Advanced PackagingやPower Automotive向けの新しいプロセスソリューションを開発するための最適なプラットフォームをお探しですか？ASMPT ALSIのLASER1206プラットフォームは、高度なレーザー技術を搭載し、チップ製造プロセスを次の段階へ進めます。

特長と利点

• マルチビーム高性能レーザー技術：局所的な熱負荷を抑え、最良のプロセス品質と高いダイ強度を実現します。
• 大ロット製造に対応したダイシング（dicing）およびグルービング（grooving）機能。
• フィルムフレームおよびベアウェハの完全自動ハンドリング。
• ウェハのコーティング、洗浄、コーティング乾燥ステーションを装備。
• クリーンミニ環境（Class 1000）：各プロセスモジュール間は扉で隔離。

用途
LASER1206は複数の半導体プロセスと材料をサポートします：

• UV-Dicing Plus
  • 材料：Low-K、PI、Si、SiC、GaN、GaAs、TEG、BSM、Mold、DAF、NCF
  • ウェハ厚さ：20–200 µm
  • プロセス：V-DOE dicing、trenching、deep scribe
• UV-USP-Grooving
  • 材料：Low-K、PI、TEG
  • ウェハ厚さ：60–800 µm
  • プロセス：trenching、grooving、deep scribe

プラットフォームの説明
完全自動のALSI LASER1206プラットフォームは、フィルムフレーム付きウェハまたはベアウェハをクリーン環境で処理します。本プラットフォームは、バリ発生の原因となる熱損傷を排除し、プラズマダイシングや次世代のウェハ処理手法の前工程として重要な役割を果たします。

仕様（技術仕様）

• 局所的な熱負荷を抑えダイ強度を最大化するマルチビーム高性能レーザー技術
• 大ロット生産向けに最適化されたダイシングおよびグルービング機能
• 自動化ハンドリング：フィルムフレームおよびベアウェハ対応
• 統合ウェハコーティング、洗浄、コーティング乾燥ステーション
• プロセスモジュール間が扉で区切られたクリーンミニ環境（Class 1000）
• サポートプロセス：V-DOE dicing、trenching、deep scribe、grooving
• 対応材料：Low-K、PI、Si、SiC、GaN、GaAs、TEG、BSM、Mold、DAF、NCF
• ウェハ厚さレンジ：20–200 µm（UV-Dicing Plus）、60–800 µm（UV-USP-Grooving）