共晶チップ用マイクロ シーラー NOVA Pro

ダイアタッチ用フリップチップ型エポキシ

製品概要 ASMPT AMICRA の NOVA Pro は、高精度なダイアタッチおよびフリップチップ実装向けのダイボンディングシステムです。配置精度は ±1.0 µm @ 3σ を実現し、350°C を超える高温でのボンディングや高いボンド力での作業に対応します。動的アライメントとレーザーによる基板加熱を統合し、熱圧着（TCB）や TSV 関連プロセスをサポートします。

適用分野 / 市場

• オプトエレクトロニクス
• シリコンフォトニクス
• VCSEL およびレーザーダイのボンディング
• フォトダイオードのボンディング
• UV 硬化接着剤によるレンズ接着
• Active Optical Cable (AOC) 組立
• トランシーバーパッケージ
• フリップチップ
• 3D IC / 2.5D IC
• 熱圧着（TCB）
• Through‑Silicon Via（TSV）プロセス
• Chip on Chip、Chip on Wafer、Chip on Substrate
• Multi‑Chip Module（MCM）
• 高機能パッケージ向けエポキシダイアタッチ
• その場でのユーテクティックダイアタッチ
• MEMS・センサーのダイアタッチ
• WLP / eWLP

主な機能

• 高精度ダイボンダー / フリップチップボンダー
• 配置精度：±1.0 µm @ 3σ
• 350°C を超える温度でのボンディングおよび高ボンド力に対応
• サイクルタイム < 3 秒
• マイクロアセンブリ向けのモジュラー設計
• ダイオードレーザー、加熱プレート、エポキシスタンピング／ディスペンスによるユーテクティック接合
• マルチフリップチップ対応
• ウェハーマッピング
• ボンド後の検査・測定
• 能動的ボンド力制御
• 動的アライメント方式とレーザー基板加熱技術

オートローディング

• 最大 12" ウェハ対応
• 300 mm ウェハ対応
• 450 mm 基板ウェハ対応

オプション

• UV 硬化
• ディスペンシング
• 追加モジュールあり

仕様 / 技術情報

• 配置精度：±1.0 µm @ 3σ
• 基板作業領域：550 x 600 mm
• サイクルタイム：< 3 秒
• 能動的ボンド力制御
• ユーテクティック接合方式：ダイオードレーザー、加熱プレート、エポキシスタンピングおよびディスペンス
• 熱圧着（TCB）および TSV プロセス対応
• マルチフリップチップボンディング
• ウェハーマッピング機能
• ボンド後検査 / 測定
• 動的アライメントとレーザー基板加熱技術
• 350°C を超える温度でのボンディングが可能
• *性能はパッケージと材料に依存します