共晶チップ用マイクロ シーラー CoS

ダイアタッチ用フリップチップ型エポキシ

概要
ASMPT AMICRA CoSは、Chip-on-Submount用途向けに設計されたマルチダイボンダーです。セラミックパルスヒーターまたは局所非接触レーザー加熱による共晶接合で、シングレートされたサブマウント上に高精度なマルチダイ配置を行います。はんだペーストやエポキシ向けのエポキシスタンピングにも対応可能です。ボンディングテーブルは2つのチャックを備え、チップ側はASMPT AMICRAの動的アライメントで高精度なピック＆プレースを実現し、サブマウント側は基板の入出力を担当します。

特長

• 配置精度: 最大 ±1.5 µm @ 3σ
• Chip-on-chip、サブマウント、キャリア用途専用設計
• ウェーハおよび基板の手動投入/取出し
• サイクルタイムの目安 6–10 秒（用途に依存）
• ダイサイズ（レーザー加熱）: 0.15 x 0.15 mm – 3 x 8 mm
• ダイサイズ（パルス加熱）: 0.15 x 0.15 mm – 8 x 8 mm
• 基板サイズ: 0.3 x 0.3 mm – 16 x 16 mm
• ダイナミックコンポーネントアライメントによる能動的アライメント
• ダイアタッチおよびフリップチップ対応
• チップとサブマウント用の別個のダイ排出システム
• 加熱ボンドヘッドによる共晶接合（最大350°C）またはセラミックパルスヒーター（最大400°C）
• サブマウントの搬送用に2つのピックアップヘッド
• アクティブボンドフォースコントロール、範囲 5–500 g
• ポストボンド検査およびウェーハマッピングを搭載
• Wafer、Gel Pak、Waffle Pack対応の入出力ステージ

オプション

• フリップチップユニット
• エポキシスタンピングユニット
• ディスペンシングユニット
• 局所レーザー加熱ユニット（非接触基板加熱、最大450°C）
• その他、要望に応じた追加オプション

仕様

• 配置精度: 最大 ±1.5 µm @ 3σ
• ボンディング方式: 共晶接合（セラミックパルスヒーターまたは局所レーザー加熱）、エポキシスタンピング（オプション）
• サイクルタイム: 報告値で最短6秒、通常6–10秒（用途に依存）
• ダイサイズ（レーザー）: 0.15 x 0.15 mm – 3 x 8 mm
• ダイサイズ（パルス）: 0.15 x 0.15 mm – 8 x 8 mm
• 基板サイズ: 0.3 x 0.3 mm – 16 x 16 mm
• 加熱ボンドヘッド最大温度: 最大350°C
• セラミックパルスヒーター最大温度: 最大400°C
• オプションレーザー加熱最大温度: 最大450°C
• ボンド力制御: Active Bond Force Control; 範囲 5–500 g
• ボンディングテーブル: 2つのボンドチャック
• ハンドリング: サブマウント用の2つのピックアップヘッド
• チップとサブマウント用の別個のダイ排出システム
• 統合ポストボンド検査およびウェーハマッピング
• サブマウント処理: Wafer、Gel Pak、Waffle Pack対応入出力