電動式タッチ先端 MOIP1000P

高周波数用インターフェイス同軸

製品概要
Micsig の MOIP1000P SigOFIT Gen 3 光絶縁プローブは、パワー半導体およびコンバータ試験向けの超高速差動・浮遊電圧測定用に設計された高性能ファイバプローブです。1 GHz 帯域、≤450 ps 立ち上がり時間、0.3 mVrms の超低雑音、1 % の DC ゲイン精度、0.1 % のゼロドリフト、および 85 kVpk のコモンモード耐電圧を備え、高電圧環境でのガルバニック絶縁を実現します。

主な特長

• 1 GHz 帯域、最大 450 ps の立ち上がり時間で高速スイッチング過渡現象を捕捉。
• 高い CMRR：DC で 180 dB、1 GHz で 108 dB により高周波スイッチング時のコモンモードノイズを抑制。
• 85 kVpk のコモンモード耐電圧により完全なガルバニック絶縁と高電圧試験の安全性を確保。
• 超低雑音：0.3 mVrms、DC ゲイン精度 1 %、ゼロドリフト 0.1 %。
• 交換可能な減衰器により 0.01 V～20 kV の差動信号に対応、0 dB / 20 dB のゲイン切替。
• 入力容量最小値 1 pF（最小）で短い同軸テストリードを採用し、GaN、SiC、IGBT の試験で回路負荷を抑制。
• 光出力のリアルタイム補償と自動校正により、高忠実度波形を継続して出力し、電源投入後すぐに測定可能。
• 光ファイバケーブル長 2 m、DC 12 V 電源、汎用 BNC インターフェース。

用途

• モータドライブ設計・試験
• 電力コンバータおよびスイッチング電源の試験
• インバータ設計試験および UPS 試験
• パワーデバイス評価（GaN/SiC/IGBT）
• シャントによる電流測定
• EMI および ESD のトラブルシューティング

仕様（技術データ）

• 帯域幅：1 GHz
• CMRR：180 dB（DC）、108 dB（1 GHz）
• インターフェース：BNC
• ノイズ（全帯域）：< 0.3 mVrms
• 電源：DC 12 V
• 立ち上がり時間：≤450 ps
• 入力容量：1 pF（最小）
• コモンモード耐電圧：85 kVpk
• 測定範囲：0.01 V～20 kV 差動（交換式減衰器使用）
• ゲイン切替：0 dB / 20 dB
• 光ファイバケーブル長：2 m