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... Axion® T2000 X線寸法 測定 シス テムは、最先端の3D NANDおよびDRAMチップに使用される高アスペクト比構造の高解像度、高速、正確、精密、非破壊の3D形状 測定が可能である。革新的なX線技術を活用したAxion T2000は、メモリデバイスの性能や歩留まりに影響を与える微細な構造変化（曲がり、反り、CDプロファイル、エッチング深さ、楕円度、傾きなど）を特定します。非破壊でインライン 測定が可能なAxion ...
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... 関連製品 AcuShape®：SpectraShape シス テムからの信号を解釈する先進的なモデリングソフトウェアで、ロバストで使用可能な3D形状モデルの構築プロセスの高速化を支援します。 スペクトラシェイプ10K1Xnmロジックや先端メモリICデバイスの複雑な形状を 測定できる光CDおよび形状 測定 シス テム。 SpectraShape ...
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... インラインプロセスモニタ、ツールモニタ、プロセスツールマッチング 関連製品 SpectraFilm F1膜厚 測定 シス テムは、7nmデザインノード以降の幅広い膜層について、薄膜および厚膜の膜厚、屈折率、応力を信頼性の高い高精度で 測定します。 SpectraFilm™ LD10膜厚 測定 シス テムは、16nmデザインノード以降の幅広い膜層について、薄膜および厚膜の膜厚、屈折率、応力を信頼性の高い高精度で 測定します。 ...
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... アレリス8330 Aleris 8330フィルム 測定 シス テムは、金属間誘電体、フォトレ ジスト、下部反射防止膜、厚い酸化物や窒化物、ライン後工程層などの非重要膜用の低コストソリューションです。 アレリス8350 Aleris 8350は、クリティカルフィルムの膜厚、屈折率、応力 測定に要求される厳しいプロセス公差に対応する高性能フィルム 測定 シス テムです。Aleris ...
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... リソグラフィーオーバーレイコントロール PWG5™（XTオプション付き PWG5のウェーハハンドリングと 測定機能を拡張する追加技術により、高度なウェーハレベルパッケージングアプリケーション向けのウェーハ間ボンディング 測定に対応します。 PWG3™ 2X/1Xnmデザインノードにおけるさまざまなメモリおよびロジックデバイスのファブワイドプロセスのインラインモニタリングをサポートする第3世代のパターン化ウェーハ形状 測定 シス テムです。 ...
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... エッチテンプ（EtchTemp™）シリーズのin situウェーハ温度 測定 シス テムは、300mmと200mmの両方のコンフィギュレーションがあり、実際のプロセス条件下で生産ウェーハ上のプラズマエッチプロセス環境の影響を捉えます。EtchTemp-HD 測定 シス テムは、導体エッチングアプリケーションのCD均一性制御と強い相関性を持つ、ウェーハ全体の温度モニタリングを可能にする高いセンサー密度を含んでいます。エッチテンプ-HDワイヤレスウェーハは、製品ウェーハの状態を忠実に再現する温度条件を特性化することにより ...
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... HighTemp™シリーズのウエハ温度その場 測定 シス テムは、300mmと200mmの両方のコンフィギュレーションがあり、先端膜プロセス（FEOLおよびBEOL ALD、CVDおよびPVD）およびその他の高温プロセスを最適化および監視するために設計されています。HighTempワイヤレスウェーハは、プロセスツールの熱均一性を 測定し、実際の生産プロセス条件下でリアルタイムに収集された時間的・空間的温度データの全体像を提供します。HighTempシリーズは、プロセスウィンドウやパターニング性能に影響を与 ...
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... WetTemp™ in situ ウェーハ温度 測定 シス テムは、300mmと200mmの両方のコンフィギュレーションがあり、ウェットクリーンやその他のウェットプロセスのモニタリングをサポートします。WetTempシリーズのモニターウェーハは、ほとんどの枚葉式ウェットクリーンプロセス シス テムと互換性があり、ウェットクリーンツールの認定、ウェットクリーンプロセスの最適化、ウェットクリーン シス テムの性能向上を支援します。 アプリケーション プロセス開発, ...
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... UV Wafer™ in situ紫外線(UV)光300mm 測定 シス テムは、ワイヤレスセンサーウエハ技術を利用し、成膜プロセス装置内のウエハ表面におけるUV光の照射量と強度を 測定します。これまで不可能だったプロセスの最適化とモニタリングを可能にするUVウエハは、FCVD（流動性）酸化物や低誘電体膜のアニールや硬化に使用されるUVランプからウエハ表面に到達する光の強度に関する時間的・空間的情報を提供します。また、UVウエハは、ランプの経年変化によるドリフトや、不均一な膜特性をもたらすランプ強度のその ...
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... 配置エラーを高精度で 測定し、ICファブにおけるデバイスのオーバーレイ・エラーに対するレチクル関連の寄与の特性評価と低減を可能にします。 アプリケーション レチクル認定、出荷レチクル品質チェック、マスクライター認定とモニタリング、レチクルプロセスモニタリング、ウェハパターン制御 関連製品 標準レ ジストレーションマークとオンデバイスパターンフィーチャーの両方の 測定をサポートする10nmデザインノード用マスク計測 シス テム。 32nm/28nmデザインノード用マスク 測定 シス テム。LMS ...
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