Máquina de ranhurar automática ALSI LASER1206

Visão geral
Procura a plataforma ideal para desenvolver novas soluções de processo para Advanced Packaging ou aplicações Power Automotive? A plataforma ALSI LASER1206 da ASMPT integra tecnologia laser avançada que eleva o seu processo de fabrico de chips ao próximo nível.

Características e benefícios

• Tecnologia laser avançada multi-feixe: carga térmica local limitada que proporciona a melhor qualidade de processo e elevada resistência do die.
• Capacidade de dicing e grooving para fabrico em alto volume.
• Manuseio totalmente automatizado de wafers em film frame e wafers nus.
• Inclui estações de revestimento, limpeza e secagem do revestimento dos wafers.
• Mini-ambiente limpo (Classe 1000): portas fechadas entre cada módulo de processo.

Aplicações
A LASER1206 suporta múltiplos processos e materiais semicondutores:

• UV-Dicing Plus
  • Materiais: Low-K, PI, Si, SiC, GaN, GaAs, TEG, BSM, Mold, DAF, NCF
  • Espessura do wafer: 20–200 µm
  • Processos: V-DOE dicing, trenching, deep scribe
• UV-USP-Grooving
  • Materiais: Low-K, PI, TEG
  • Espessura do wafer: 60–800 µm
  • Processos: Trenching, grooving, deep scribe

Descrição da plataforma
A plataforma totalmente automatizada ALSI LASER1206 trata wafers em film frame ou wafers nus num ambiente limpo. A plataforma elimina danos térmicos que conduzem à formação de rebarbas e é uma ferramenta essencial como pré-processo para plasma dicing e outros métodos de processamento de wafers de próxima geração.

Especificações técnicas

• Tecnologia laser avançada multi-feixe para limitar a carga térmica local e maximizar a resistência do die
• Capacidades de dicing e grooving otimizadas para fabrico em alto volume
• Manuseio automatizado: suporte de wafers em film frame e wafers nus
• Estações integradas de revestimento, limpeza e secagem dos wafers
• Mini-ambiente limpo (Classe 1000) com portas fechadas entre os módulos de processo
• Processos suportados: V-DOE dicing, trenching, deep scribe, grooving
• Materiais suportados: Low-K, PI, Si, SiC, GaN, GaAs, TEG, BSM, Mold, DAF, NCF
• Intervalos de espessura de wafer: 20–200 µm (UV-Dicing Plus) e 60–800 µm (UV-USP-Grooving)