Microssoldadora de chips eutética NOVA Propara die attachflip-chipde epóxi
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Características
- Tecnologia
- flip-chip, de epóxi, para die attach, eutética, multi-chip, térmica, chip-on-submount
- Modo de funcionamento
- automática
- Aplicações
- para a indústria dos semicondutores, para micromontagens, para wafers, para sensor, MEMS
- Outras características
- de alta precisão, configurável, de grande área
- Precisão de posicionamento
1 µm
Descrição
Visão geral do produto O NOVA Pro da ASMPT AMICRA é um sistema de die bonding para montagem de die attach e flip‑chip com alta precisão. Mantém precisão de posicionamento até ±1,0 µm @ 3σ e suporta bonding a temperaturas superiores a 350°C aplicando forças elevadas. Integra alinhamento dinâmico e aquecimento do substrato por laser, suportando termocompressão (TCB) e processos relacionados a TSV.
Aplicações / Mercados
Principais características
Autoloading
Opcional
Especificações técnicas
Aplicações / Mercados
- Optoeletrônica
- Fotônica em silício
- Ensamblagem VCSEL e diodo laser
- Ensamblagem de fotodiodos
- Fixação de lentes com adesivos UV
- Montagens Active Optical Cable (AOC)
- Pacotes de transceiver
- Flip chip
- 3D IC / 2.5D IC
- Termocompressão (TCB)
- Processos Through‑Silicon Via (TSV)
- Chip on Chip, Chip on Wafer, Chip on Substrate
- Multi‑Chip Module (MCM)
- Die attach epóxi para packaging avançado
- Die attach eutético in‑situ
- Montagem de MEMS e sensores
- WLP / eWLP
Principais características
- Bonder de alta precisão para die / flip‑chip
- Precisão de posicionamento: ±1,0 µm @ 3σ
- Capacidade de bonding a temperaturas > 350°C com altas forças
- Tempo de ciclo < 3 s
- Conceito modular de máquina para micro‑assemblagem
- Bonding eutético via diode‑laser, placa de aquecimento ou estampagem/dispensing de epóxi
- Capacidade multi flip‑chip
- Mapeamento de wafer
- Inspeção e medição pós‑bond
- Controle ativo da força de união
- Método de alinhamento dinâmico e aquecimento do substrato por laser
Autoloading
- Até wafers de 12"
- Wafers de 300 mm
- Wafers substrato de 450 mm
Opcional
- Cura UV
- Dispensing
- Módulos adicionais disponíveis
Especificações técnicas
- Precisão de posicionamento: ±1,0 µm @ 3σ
- Área de trabalho do substrato: 550 x 600 mm
- Tempo de ciclo: < 3 s
- Controle ativo da força de união
- Métodos de bonding eutético: diode‑laser, placa de aquecimento, estampagem e dispensing de epóxi
- Suporte para termocompressão (TCB) e processos TSV
- Multi flip‑chip
- Capacidade de mapeamento de wafer
- Inspeção / medição pós‑bond
- Alinhamento dinâmico e aquecimento do substrato por laser
- Capaz de efetuar bonding a temperaturas superiores a 350°C
- *O desempenho depende do pacote e dos materiais
Catálogos
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* Os preços não incluem impostos, transporte, taxas alfandegárias, nem custos adicionais associados às opções de instalação e de ativação do serviço. Os preços são meramente indicativos e podem variar em função dos países, do custo das matérias-primas e das taxas de câmbio.