Microssoldadora de chips eutética CoS

para die attachflip-chipde epóxi

Visão geral
ASMPT AMICRA CoS é um bondador multi-die desenvolvido para aplicações Chip-on-Submount. Realiza posicionamento multi-die de alta precisão em submounts singulados utilizando brasagem eutética (aquecedor de pulso cerâmico ou aquecimento a laser localizado sem contato) e pode ser equipado com estampagem epóxi para pasta de solda ou epóxi. A mesa de bonding possui dois chucks; o lado do chip utiliza alinhamento dinâmico ASMPT AMICRA para pick-and-place preciso, enquanto o lado do submount gerencia entrada/saída de substratos.

Características

• Precisão de posicionamento até ±1,5 µm @ 3σ
• Projetado para chip-on-chip, submount e aplicações com carrier
• Carregamento/descarga manual de wafers e substratos
• Tempo de ciclo típico 6–10 s (dependendo da aplicação)
• Tamanho do die (aquecimento a laser): 0,15 x 0,15 mm – 3 x 8 mm
• Tamanho do die (pulse heater): 0,15 x 0,15 mm – 8 x 8 mm
• Tamanho do substrato: 0,3 x 0,3 mm – 16 x 16 mm
• Alinhamento dinâmico de componentes para pick-and-place ativo
• Capacidade Die Attach e Flip Chip
• Sistema separado de ejeção de dies para chip e submount
• Brasagem eutética com cabeça de união aquecida (até 350°C) ou pulse heater cerâmico (até 400°C)
• Duas cabeças de captação para carregamento/descarga de submounts
• Controle ativo de força de união com faixa 5–500 g
• Inspeção pós-bond e wafer-mapping incluídos
• Entrada/saída de submount compatível com Wafer, Gel Pak ou Waffle Pack

Opcionais

• Unidade Flip Chip
• Unidade de Estampagem Epóxi
• Unidade de Dispensação
• Unidade de Aquecimento Laser Localizado para aquecimento sem contato de substratos (até 450°C)
• Opções adicionais personalizáveis sob solicitação

Especificações técnicas

• Precisão de posicionamento: até ±1,5 µm @ 3σ
• Métodos de brasagem: brasagem eutética (pulse heater cerâmico ou aquecimento a laser localizado), estampagem epóxi (opcional)
• Tempo de ciclo: reportado até 6 s; típico 6–10 s dependendo da aplicação
• Tamanho do die (laser): 0,15 x 0,15 mm – 3 x 8 mm
• Tamanho do die (pulse): 0,15 x 0,15 mm – 8 x 8 mm
• Tamanho do substrato: 0,3 x 0,3 mm – 16 x 16 mm
• Temp. máx cabeça aquecida: até 350°C
• Temp. máx pulse heater cerâmico: até 400°C
• Temp. máx opção laser: até 450°C
• Controle de força: Active Bond Force Control; faixa 5–500 g
• Mesa de bonding: dois chucks de bonding
• Manuseio: duas cabeças de captação para carregamento/descarga de submounts
• Sistema de ejeção separado para chip e submount
• Inspeção pós-bond integrada e wafer-mapping
• Manuseio de submount: entrada/saída compatível com Wafer, Gel Pak ou Waffle Pack