Díodo laser pulsado PVGR2S06H
de estado sólidode infravermelho próximode díodo

Díodo laser pulsado - PVGR2S06H - Excelitas Technologies - PCO - de estado sólido / de infravermelho próximo / de díodo
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Características

Modo de funcionamento
pulsado
Tecnologia
de estado sólido
Espectro
de infravermelho próximo
Outras características
com segurança ocular, simples, duplo, de díodo
Potência

MÍN: 24 W

MÁX: 50 W

Comprimento de onda

1.550 nm

Descrição

Visão geral
O PVGR2S06H é um diodo laser pulsado em encapsulamento metálico projetado para operação a 1550 nm. Integra um chip monocavidade com dupla pilha e faixa de 150 µm, e está disponível em opções de encapsulamento como o pacote 9 mm CD na configuração 6 mils PLD. Potência típica testada: 24 W a 20 A com pulso de 150 ns.

Tecnologia e notas de aplicação
Os dispositivos desta família são diodos laser de dupla heteroestrutura com poços quânticos, cultivados por MOCVD e centrados em 1550 nm. As potências de pico padrão da família incluem 7 W, 14 W e 58 W. O comprimento de onda de 1550 nm permite níveis de emissão permitidos mais altos para maior segurança ocular, possibilitando operação em Classe 1 em condições apropriadas e a potências de pico elevadas.

Principais características
  • Comprimento de onda central 1550 nm
  • Diodo laser pulsado com encapsulamento metálico
  • Chip monocavidade, dupla pilha
  • Largura da faixa: 150 µm
  • Desempenho testado: 24 W @ 20 A (pulso 150 ns)
  • Opções empilhadas para aumentar a potência de saída
  • Estrutura de poços quânticos em dupla heteroestrutura cultivada por MOCVD
  • Capacidade de potência de pico pulsada elevada: até 50 W


Especificações técnicas
  • Modelo: PVGR2S06H
  • Comprimento de onda (centro): 1550 nm
  • Arquitetura do chip: monocavidade, dupla pilha
  • Largura da faixa: 150 µm
  • Pacote: encapsulamento metálico (exemplo: pacote 9 mm CD)
  • Especificação PLD: 6 mils PLD
  • Saída típica testada: 24 W a 20 A (pulso 150 ns)
  • Capacidade de potência de pico pulsada: até 50 W
  • Crescimento/estrutura: dupla heteroestrutura cultivada por MOCVD com poços quânticos
  • Potências de pico padrão da família: 7 W, 14 W, 58 W
  • Projetado para permitir níveis de emissão permitidos mais altos a 1550 nm para melhorar a segurança ocular (potencial operação em Classe 1)

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