Díodo laser pulsado PVGR4S12H

de nanossegundosde estado sólidode infravermelho próximo

Visão geral do produto
O PVGR4S12H é um díodo laser pulsado em encapsulamento metálico projetado para operação a 1550 nm. Integra um chip monocavidade quad‑stack com stripe de 300 µm (12 mil) e é fornecido em encapsulamento metálico 9 mm CD. O dispositivo fornece potência de pico em pulso elevada, com potência pico testada de 58 W @ 40 A com pulso de 150 ns.

Tecnologia e desempenho
Projeto de poço quântico com dupla heteroestrutura cultivada por MOCVD, otimizado para comprimento de onda central de 1550 nm. Essa escolha de comprimento de onda permite explorar níveis de emissão permitidos mais altos para operação eye‑safe (possível operação Classe 1 conforme limites FDA/aplicáveis). Variantes de potência de pico são oferecidas para atender aos requisitos do sistema.

Características

• Díodo laser pulsado em encapsulamento metálico para aplicações industriais
• Arquitetura de chip monocavidade, quad‑stack
• Largura de stripe: 300 µm (12 mil)
• Disponível em várias opções de encapsulamento, incluindo versão 9 mm CD

Documentação
Folha de dados disponível com especificações elétricas, ópticas e mecânicas, condições de teste e recomendações de manuseio.

Especificações técnicas

• Comprimento de onda central: 1550 nm
• Arquitetura do chip: monocavidade, quad‑stack
• Largura de stripe: 300 µm (12 mil)
• Potência pico testada: 58 W @ 40 A com pulso de 150 ns
• Variantes de potência pico disponíveis: 7 W, 14 W, 58 W
• Capacidade de potência pico pulsada: até 58 W (dependendo do modelo)
• Estrutura ativa: poço quântico
• Método de crescimento: MOCVD dupla heteroestrutura
• Encapsulamento: pacote metálico (ex.: 9 mm CD)