Díodo laser pulsado PVGS2S06H

de nanossegundospor impulso curtode estado sólido

Visão geral
O PVGS2S06H é um diodo laser pulsado de 1550 nm em invólucro metálico, com chip de cavidade única e duplo empilhamento, e largura de faixa de 150 µm. Está disponível em várias opções de invólucro (incluindo TO‑52) e projetado para operação com alta potência de pico em pulso.

Tecnologia e desempenho
O dispositivo é uma heteroestrutura dupla crescida por MOCVD, centrada em 1550 nm para aproveitar níveis de emissão permitidos superiores e operação segura para os olhos. Com integração e configuração adequadas, a operação Classe 1 pode ser alcançável em níveis de saída relativamente altos. A arquitetura é otimizada para operação pulsada de alta potência de pico.

Principais características

• Dispositivo em invólucro metálico (opções TO‑52)
• Chip de cavidade única, duplo empilhamento
• Largura de faixa: 150 µm
• Projetado para pulsos curtos com alta potência de pico

Aplicações / Observações
Oferecido em diversos invólucros para atender aos requisitos de integração do sistema. Configurações empilhadas permitem escalar a potência de pico para aplicações como telemetria, LIDAR, comunicações ópticas em espaço livre e sistemas de teste/medição que exigem pulsos curtos e de alta energia.

Especificações técnicas

• Comprimento de onda central: 1550 nm
• Arquitetura do chip: cavidade única, duplo empilhamento
• Largura de faixa: 150 µm
• Exemplo testado: 24 W a 20 A com pulso de 150 ns
• Alta potência de pico pulsada: até 50 W
• Potências de pico padrão oferecidas na família PVG: 7 W, 14 W e 58 W (valores da família de produtos)
• Estrutura: poço quântico
• Fabricação: heteroestrutura dupla crescida por MOCVD