Microscópio eletrônico de varredura (MEV) SU9600

para medições em filmes finospara pesquisapara a pesquisa sobre materiais

Visão geral
O SU9600 (T)SEM é um microscópio eletrônico de varrimento modular e híbrido que integra SEM de ultra-alta resolução e capacidades STEM analíticas com um palco de amostra compatível com TEM. Permite análises correlativas de superfície e elétrons transmitidos numa plataforma de alta estabilidade, suportando UHR-SEM, STEM, 4D-STEM*, EELS* e nano-EDS* para imagiologia de alta resolução rápida e caracterização multimodal de materiais.

Destaques

• Capacidades integradas de UHR-SEM e STEM analítico numa única plataforma estável
• Imagem de ultra-alta resolução de 10 V a 30 kV para análise de superfície e estrutural
• Canhão de emissão por campo frio, lente objetiva de imersão total e palco TEM (0,34 nm garantido @ 30 kV; ~0,2 nm alcançável)

Características e benefícios

• Deteção abrangente de elétrons refletidos e transmitidos com filtragem em energia e ângulo
• Correlação do contraste SE/BSE de superfície com imagens BF/ADF/STEM e dados espectrais (EELS/EDS)
• Análise elementar sub-nm com detector EDS sem janela e grande ângulo sólido
• Acesso a medições avançadas de propriedades dos materiais via EELS e 4D-STEM

Detalhes técnicos

• Emissão por campo frio de próxima geração com NEG para alta intensidade e redução de aberração cromática (opção EELS)
• Lente de imersão total combinada com palco tipo TEM para resolução e estabilidade mecânica ótimas
• Imagem de alta resolução em 0,5–30 kV (0,34 nm garantido @ 30 kV; ~0,2 nm alcançável)
• Palco TEM e suporte double-tilt para orientação rápida de cortes transversais e alinhamento de eixo de zona (opcional)
• Compatível com holders criogênicos e MEMS (opcional)

Capacidades analíticas

• EDS sub-nm com detector sem janela e grande ângulo sólido para mapeamento elementar rápido em nanoscale
• 4D-STEM com deteção direta rápida de elétrons permitindo DPC, ptychography, mapeamento de tensão e fase; aberturas virtuais geram imagens BF/DF/difração selecionada
• EELS a baixo kV: imagiologia elementar em tempo real, espectroscopia de perda de core e plasmon; o FEG frio oferece resolução energética de ~0,35 eV

Aplicações

• Nanomateriais: mapeamento de distribuição elementar, composição de nanofios, imagem de rede
• Filmes finos: morfologia de superfície e análise de estrutura de grão
• Análise elementar: composição e mapeamento em escala nanométrica (por ex., sistemas Ag/Cu)
• Semicondutores: imagem de rede em escala atômica e análise de difração

Especificações
Resolução de imagem SE: 0,4 nm @ 30 kV; 1,0 nm @ 1 kV; 0,6 nm @ landing 1 kV (com suporte de desaceleração e detector superior opcionais)
Resolução de imagem STEM: 0,34 nm @ 30 kV (imagem de rede, opção)
Tensão de aceleração: 0,5 a 30 kV
Tensão de aterragem: 0,01 a 20 kV
Deslocamento elétrico de imagem: até ±5 mm (altura da amostra = 0,0 mm)
Recursos da mesa: X: ±4,0 mm, Y: ±2,0 mm, Z: ±0,3 mm, T: ±40°
Tamanho da amostra - palco plano: 5,0 mm × 9,5 mm × 3,5 mm (H) máx
Tamanho da amostra - palco corte transversal: 2,0 mm × 6,5 mm × 5,0 mm (H) máx

Notas
* Opcional quando indicado. Recursos como 4D-STEM, EELS e certos holders podem ser opcionais dependendo da configuração.