Placa de suporte em molibdênio

em níquelem ouroem tungstênio

Visão geral
Placas base em molibdénio (Mo) e tungsténio (W) fornecem um substrato termicamente compatível para díodos de potência, tirístores e transístores. Coeficientes de expansão térmica semelhantes reduzem tensões mecânicas entre semicondutor e suporte; a elevada pureza do material assegura condutividade térmica fiável.

Vantagens principais

• Projetos personalizados conforme especificação (redondas, quadradas, retangulares, profundidades especiais)
• Opções de revestimento: PVD ultrapuro ou eletrodeposição
• Embalagem em sala limpa específica do cliente após revestimento
• Acompanhamento do protótipo à produção em série – capacidades internas

Compatibilidade térmica e fiabilidade
A combinação dos coeficientes de expansão minimiza tensões durante ciclos térmicos e prolonga a vida útil dos módulos. Revestimentos PVD ultrapuros produzem camadas homogéneas; a eletrodeposição é alternativa conforme a aplicação. Produção interna de targets PVD e controlo de processo garantem pureza e desempenho constantes.

Flexibilidade de design
Fornecemos placas base em várias geometrias (redondas, quadradas, retangulares, profundas/escalonadas) e adaptamos espessuras e revestimentos às necessidades da aplicação. Suportamos protótipos e produção em série com fluxos de processo personalizados.

Qualidade e cadeia de abastecimento
O aprovisionamento de matérias‑primas junto de fornecedores estabelecidos garante rastreabilidade e qualidade consistente de pós/óxidos de molibdénio e tungsténio. Parcerias com processadores especializados asseguram capacidade de fornecimento para volumes de produção.

Opções de revestimento

• Ruténio (Ru)
• Níquel (Ni)
• Cromo (Cr)
• Prata (Ag)
• Ouro (Au)

Propriedades típicas (comparação)
Molibdénio (Mo) vs Tungsténio (W):
Pureza [%]: Mo 99,97 ; W 99,99
Coeficiente de expansão térmica a 20 °C [ppm/K]: Mo ≈ 5,2 ; W ≈ 4,2
Condutividade térmica a 20 °C [W/(m·K)]: Mo ≈ 142 ; W ≈ 164

Dimensões típicas (exemplos)
Discos de molibdénio: Espessura de 0,1 mm até ≥ 7,0 mm ; Diâmetro: 2,5 mm até ≥ 150,0 mm
Discos de tungsténio: Espessura de 0,4 mm até ≥ 7,0 mm ; Diâmetro: 2,5 mm até ≥ 150,0 mm
Quadrados/retângulos Mo: Espessura 0,1 mm ≥ 5,0 mm ; Lado longo 1,0 mm ≥ 70,0 mm ; Lado curto 0,2 mm ≥ 10,0 mm
Quadrados/retângulos W: Espessura 0,4 mm ≥ 5,0 mm ; Lado longo 1,0 mm ≥ 70,0 mm ; Lado curto 0,2 mm ≥ 10,0 mm

Processos e serviços

• Processamento de matérias‑primas (gestão de óxidos, mistura de ligas)
• Prensagem, sinterização e tratamentos térmicos
• Formação e usinagem de precisão
• Revestimento superficial (PVD e eletrodeposição) e embalagem em sala limpa
• Garantia de qualidade, ensaios, reciclagem e suporte ao ciclo de vida

Especificações técnicas

• Materiais: molibdénio (Mo), tungsténio (W)
• Pureza: Mo ≈ 99,97 % ; W ≈ 99,99 %
• CTE (20 °C): Mo ≈ 5,2 ppm/K ; W ≈ 4,2 ppm/K
• Condutividade térmica (20 °C): Mo ≈ 142 W/(m·K) ; W ≈ 164 W/(m·K)
• Metais de revestimento: Ru, Ni, Cr, Ag, Au
• Processos de revestimento: PVD (ultrapuro) e eletrodeposição
• Embalagem: embalagem em sala limpa conforme cliente
• Suporte de produção: protótipo à série, fabrico interno de targets PVD e processos associados